[发明专利]秋海棠属规模化盆花栽培方法在审

专利信息
申请号: 201610212806.6 申请日: 2016-04-07
公开(公告)号: CN107046964A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 李景秀;管开云;李爱荣;崔祖良;舒方平 申请(专利权)人: 嘉兴领秀园艺有限公司;中国科学院昆明植物研究所
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00;A01G9/10;A01G7/06
代理公司: 昆明协立知识产权代理事务所(普通合伙)53108 代理人: 旃习涵
地址: 314303 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 秋海棠 规模化 盆花 栽培 方法
【权利要求书】:

1.秋海棠属规模化盆花栽培方法,包括扦插繁殖、定植上盆、水肥管理步骤,用秋海棠属植物叶片扦插繁殖获得新植株,定植于装有栽培基质的盆内并放置在阳光板温室或塑料大棚中,在温度15-25℃,相对空气湿度65-85%,光照强度20000-30000Lx的环境条件下栽培。所述栽培基质为配合营养基质A:腐殖质土∶珍珠岩∶水苔纤维∶复合NPK肥=40∶3∶1∶0.2,以及配合基质B:植物性纤维∶珍珠岩∶泥炭土∶鹿沼土=5∶1∶1∶0.1,人工手动灌溉条件下的栽培采用配合营养基质A,定植上盆栽培2周后,根部追施固态复合肥N∶P∶K=18∶6∶24,每周1次,每次1g/株;具备自动液肥滴灌条件下的栽培采用配合基质B,定植上盆栽培2周后,结合基质自动液肥滴灌,追施0.5%液态复合肥N∶P∶K=18∶8∶18。

2.如权利要求书1所述的秋海棠属规模化盆花栽培方法,其特征在于所述的用秋海棠属植物叶片扦插繁殖获得新植株是采用:以珍珠岩作为扦插基质,选择平展、生长旺盛、健壮无病虫害的秋海棠成熟叶片,从叶片基部开始,沿叶柄两侧斜上将部分叶片连同叶柄以楔形切下,从叶脉基部开始留下长3.5-4cm的叶柄斜切成马蹄形切口,调整成为一个带柄的叶片插穗之后,再将剩余至少含一对叶脉分枝的大部分叶片,沿两脉外沿切成楔形或三角形的一至多个无柄叶片进行扦插,带柄叶片插穗的叶柄或无柄叶片插穗的楔基略斜插入基质3-4cm,并使带柄叶片插穗的叶脉基部入基质0.5-1cm,保持扦插床温度22-28℃,基质温度18-22℃,扦插床的空气相对湿度60-75%,遮光率70-75%,适时喷水保持插穗水分充足,15-20天插穗基部发根,60-75天萌发不定芽形成新植株,90天后新植株根系发达,具2-3片平展叶,株高8-12cm,移植上盆进行规模化盆花栽培生产。

3.如权利要求书1所述的秋海棠属规模化盆花栽培方法,其特征在于所述的配合营养基质A中,腐殖质土为自然的阔叶林下腐殖质层淀积土,水苔纤维为市场出售的干燥苔藓植物,切至长0.5-1.0cm纤维配合使用;所述的配合基质B中,鹿沼土以轻石粉调制为直径0.3-0.5cm的颗粒,所用材料均为市场出售的成品,按比例均匀混合。

4.如权利要求书1所述的秋海棠属规模化盆花栽培方法,其特征在于所述的配合营养基质A和配合基质B是从10种配合基质的对比试验筛选而得,并经过7年的栽培试验结果证实为秋海棠属植物规模化栽培生产的最佳基质,配合营养基质A适用于人工手动灌溉条件的栽培生产,配合基质B适用于具备自动液肥滴灌条件的栽培生产。

5.如权利要求书1所述的秋海棠属规模化盆花栽培方法,其特征在于在人工手动灌溉条件下的盆花栽培生产,用复合肥N∶P∶K=18∶6∶24以固态形式每周追施一次,每次1g/株;在自动液肥滴灌条件下的盆花栽培生产,用复合肥N∶P∶K=18∶8∶18以0.5%的浓度溶解于灌溉水,栽培基质滴灌供水,微肥施用,每周自动液肥滴灌1-2次,每次2.0-2.5小时。

6.如权利要求书1所述的秋海棠属规模化盆花栽培方法,其特征在于秋海棠盆花栽培是在具备温度、湿度和光照调控能力的阳光板温室或塑料大棚内进行,栽培室内配置可移动铝合金台床,台床上放置盆花,栽培室内环境温度控制在15-25℃,相对空气湿度65-85%,光照强度20000-30000Lx。

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