[发明专利]倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件

权利要求书

1.一种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基板、阴极、电子传输层、蓝光量子点发光层、空穴传输层以及阳极；

所述空穴传输层包括依次层叠的第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，所述第一空穴传输层与所述蓝光量子点发光层直接接触，所述第一空穴传输层的厚度为5nm～10nm；

所述第一空穴传输层的材料为第一空穴传输材料和第二空穴传输材料形成的混合物，所述第二空穴传输层的材料为第二空穴传输材料和第三空穴传输材料形成的混合物，所述第三空穴传输层的材料为第三空穴传输材料和第四空穴传输材料形成的混合物；

所述第一空穴传输层的HOMO能级为6.04eV～6.8eV，所述第二空穴传输层的HOMO能级为5.6eV～6.03eV，所述第三空穴传输层的HOMO能级为4.2eV～5.6eV，所述第一空穴传输层、所述第二空穴传输层及所述第三空穴传输层的HOMO能级依次减小；

所述第一空穴传输层、所述第二空穴传输层和所述第三空穴传输层的厚度依次增大；

所述第三空穴传输层与所述阳极直接接触。

2.根据权利要求1所述的倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述蓝光量子点发光层的材料选自CdSe@ZnS核壳结构蓝光量子点或ZnCdS@ZnS核壳结构蓝光量子点，其中，@表示包覆，CdSe或ZnCdS为所述核壳结构量子点的核，ZnS为所述核壳结构量子点的壳。

3.根据权利要求1所述的倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述蓝光量子点发光层的厚度为15nm～30nm。

4.根据权利要求1所述的倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料、所述第二空穴传输材料、所述第三空穴传输材料及所述第四空穴传输材料的HOMO能级依次减小。

5.根据权利要求1所述的倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输层中所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料的质量比为3:2～3:1，所述第一空穴传输材料选自2-羟基-3-甲基-2-环戊烯-1-酮和6,6-二(4-9氢-咔唑-9-基)苯基)-6氢-吡咯[3,2,1-de]吖啶中的一种，所述第二空穴传输材料选自4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯、8,8-二(4-(9氢-咔唑-9-基)苯基)-8氢-吲哚[3,2,1-de]吖啶和3,5-二(9氢-咔唑-9-基)-氮,氮-联苯氨中的一种。

6.根据权利要求1所述的倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述第二空穴传输层中所述第二空穴传输材料和所述第三空穴传输材料的质量比为3:4～3:2，所述第二空穴传输材料选自4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯、8,8-二(4-(9氢-咔唑-9-基)苯基)-8氢-吲哚[3,2,1-de]吖啶和3,5-二(9氢-咔唑-9-基)-氮,氮-联苯氨中的一种，所述第三空穴传输材料选自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺和2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′联苯中的一种。

7.根据权利要求1所述的倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述第三空穴传输层中所述第三空穴传输材料和所述第四空穴传输材料的质量比为2:3～1:1，所述第三空穴传输材料选自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺和2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′联苯中的一种，所述第四空穴传输材料选自三氧化钼、三氧化钨、氧化钒和钛菁铜中的一种。

8.根据权利要求1所述的倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述第二空穴传输层的厚度为10nm～20nm，所述第三空穴传输层的厚度为20nm～30nm。

9.根据权利要求1所述的倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述阳极选自铝、银、金和铂中的一种。