[发明专利]自启动的偏置电流源电路

说明书

一种自启动的偏置电流源电路，包括启动电路和偏置电路，偏置电路包括第一偏置点和第二偏置点，启动电路包括：第一NMOS管，源极接地，栅极与第二偏置点耦接，漏极与控制节点耦接；第一PMOS管，源极耦接电源，漏极与第一NMOS管的漏极耦接；短接电路，第一端耦接第一偏置点，第二端耦接第二偏置点，控制端耦接控制节点；选择性连通电路，用于控制所述第一PMOS管在上电后导通，以使所述控制节点的信号控制所述短接电路连通第一偏置点和第二偏置点，使得偏置电路的基准电流上升至预设基准电流值，并控制第一PMOS管在偏置电路的基准电流达到预设基准电流值后截止。本发明的方案能够降低其中的启动电路的功耗。

技术领域

本发明涉及电路领域，特别是涉及一种自启动的偏置电流源电路。

背景技术

与电源电压无关的偏置电流源(Supply Independent Biasing，SIB)由于其结构简单而被广泛应用，但是在SIB中一个重要的问题是存在两个稳定的偏置点，其中一个是0电流偏置点，提供相应的启动电路来驱动偏置电流源电路的偏置点离开0电流偏置点以达到基准电流值是十分有必要的，在启动完成后所述偏置电流源电路的基准电流值达到稳定的预设基准电流值。但是，现有技术中存在启动电路功耗较高的问题。

发明内容

本发明实施例要解决的技术问题是提供一种自启动的偏置电流源电路，降低其中的启动电路的功耗。

为了解决上述问题，本发明实施例提供一种自启动的偏置电流源电路，所述偏置电流源电路包括：

启动电路和偏置电路，所述偏置电路包括第一偏置点和第二偏置点，其特征在于，所述启动电路包括：短接电路、选择性连通电路、第一PMOS管和第一NMOS管；

所述第一NMOS管的源极接地，栅极与所述第二偏置点耦接，漏极与控制节点耦接；

所述第一PMOS管的源极与电源耦接，漏极与所述第一NMOS管的漏极耦接；

所述短接电路的第一端耦接所述第一偏置点，所述短接电路的第二端耦接所述第二偏置点，所述短接电路的控制端耦接所述控制节点；

所述选择性连通电路用于控制所述第一PMOS管在上电后导通，以使所述控制节点的信号控制所述短接电路连通所述第一偏置点和所述第二偏置点，使得所述偏置电路的基准电流上升至预设基准电流值，并控制所述第一PMOS管在所述偏置电路的基准电流达到预设基准电流值后截止。

可选地，所述选择性连通电路具有第一端、第二端和控制端，所述选择性连通电路的第一端耦接所述第一PMOS管的栅极，所述选择性连通电路的第二端耦接所述控制节点，所述选择性连通电路的控制端耦接所述第二偏置点；

其中，在上电后，所述第二偏置点的信号控制所述选择性连通电路导通，以使所述第一PMOS管导通，直至所述控制节点的信号被拉高后所述第一PMOS管截止，同时所述第二偏置点的信号控制所述选择性连通电路断开以使所述第一PMOS管保持截止。

可选地，所述自启动的偏置电流源电路，还包括：

在所述偏置电路的基准电流达到预设基准电流值时，所述第一NMOS管导通，所述控制节点的信号控制所述短接电路断开所述第一偏置点和所述第二偏置点间的连接。

可选地，所述第一PMOS管的等效开启阻抗大于所述第一NMOS管的等效开启阻抗。

可选地，所述选择性连通电路包括：第二PMOS管；

所述第二PMOS管的栅极作为所述控制端并与所述第二偏置点耦接，所述第二PMOS管的源极作为所述选择性连通电路的第一端并与所述第一PMOS管的栅极耦接，所述第二PMOS管漏极作为所述选择性连通电路的第二端并与所述第一PMOS管的漏极耦接，所述第二PMOS管的衬底耦接电源。

可选地，所述短接电路包括：第二NMOS管；