[发明专利]一种近红外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种近红外探测器，其特征在于，从下至上依次包括：基底、底电极层、红外感光层、顶电极层；

所述底电极层与所述红外感光层之间还设有电子阻挡层；

所述红外感光层包括上下设置的第一杂化层和第二杂化层；所述第一杂化层包括红外感光量子点和n型半导体材料、所述第二杂化层包括红外感光量子点和p型半导体材料。

2.根据权利要求1所述近红外探测器，其特征在于，所述n型半导体材料与所述p型半导体材料分别与红外感光量子点的质量比为1:9～2:5。

3.根据权利要求1所述近红外探测器，其特征在于，所述电子阻挡层为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸),聚3-己基噻吩，聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)、聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑)中的任一种。

4.根据权利要求1所述近红外探测器，其特征在于，所述红外感光量子点为硫化铅、硫化硒、硫化镉中的任一种。

5.根据权利要求1所述近红外探测器，其特征在于，所述n型聚合物半导体为聚(5-(2-乙基己氧基)-2-甲氧基-氰基对苯二亚甲基)、[6,6]-苯基C₆₁丁酸甲酯，1',1”,4',4”-四氢二[1,4]甲桥萘并[1,2:2',3'；56,60:2”,3”][5,6]富勒烯-C60-IH中一种。

6.根据权利要求1所述近红外探测器，其特征在于，所述p型聚合物半导体为聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑)、聚[2-甲氧基,5-(3′,7′二甲基-辛氧基)]-对苯撑乙撑、聚3-己基噻吩中一种。

7.根据权利要求1所述近红外探测器，其特征在于，所述第一杂化层和/或第二杂化层的厚度范围在50～500nm。

8.根据权利要求1所述近红外探测器，其特征在于，所述红外感光量子点的直径范围在1nm～100nm。

9.一种如权利要求1～8任一项所述近红外探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在覆盖有底电极层的基底上形成电子阻挡层材料；

在所述电子阻挡层上制备红外感光层：先在所述电子阻挡层上涂布红外感 光量子点和P型半导体材料形成第一杂化层；然后在所述第一杂化层上涂布红外感光量子点和n型半导体材料形成第二杂化层；

最后在所述第二杂化层上形成顶电极层。

10.根据权利要求9所述近红外探测器的制备方法，其特征在于，所述电子阻挡层、第一杂化层和第二杂化层的制备步骤中均需要在150～200℃烘干工序。