[发明专利]真空腔体装置和处理硅片的方法

说明书

本发明涉及一种用于在第一压力环境和第二压力环境之间传递硅片的真空腔体装置，所述真空腔体装置包括：壳体、第一门阀、第二门阀以及能够支撑多个硅片的硅片支撑装置。通过第一门阀能够连通或切断第一压力环境和真空腔，第二门阀能够连通或切断第二压力环境和真空腔。本发明的真空腔体装置结构简单，操作快捷，能够提高产量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，并且尤其地，涉及一种真空腔体装置和使用真空腔体装置处理硅片的方法。

背景技术

半导体硅片的检测过程通常需要在真空环境中进行。为了提高在真空条件下运行的半导体检测设备的产率，一般都需要在设备的工作腔与处于大气环境的硅片盒之间增加一个装载锁定腔。工作腔容积一般较大，抽到额定真空所需的时间比较长。装载锁定腔与之相比腔体容积要小得多，这样在抽气成真空状态时，所需的时间就要少得多，从而可以增加设备的产率。此外，在半导体硅片检测领域，要避免硅片在检测环节受到损伤和污染，也就是保证硅片在检测过程中的安全。

发明内容

本部分是为了概述本发明的部分方面和简述一些优选的实施例。为了避免使得本部分的目的不清楚做出了简化和省略。这些简化或省略不是为了限制本发明的范围。

根据本发明的一方面，提供一种用于在第一压力环境和第二压力环境之间传递硅片的真空腔体装置，所述真空腔体装置包括：

壳体，限定一真空腔；

第一门阀，设置在壳体上，配置成能够连通第一压力环境和真空腔以便第一压力环境和真空腔处于相同大体相同的压强下，或切断第一压力环境和真空腔之间的联通以便真空腔能够保持预定真空状态；

第二门阀，设置在壳体上，配置成能够连通第二压力环境和真空腔以便第二压力环境和真空腔处于相同大体相同的压强下，或切断第二压力环境和真空腔之间的联通以便真空腔能够保持所述预定真空状态；

硅片支撑装置，设置在所述真空腔内部，用于支撑多个硅片；

其中硅片支撑装置配置成包括多层硅片支撑结构，每层硅片支撑结构用于支撑一个硅片。

根据本发明另一方面，提供一种使用上述的真空腔体装置处理硅片的方法，其中，

打开第一门阀，使得第一压力环境和真空腔处于相同大体相同的压强下，通过外部装置将硅片装载至一层硅片支撑结构上，硅片位置调整装置能够自动调整硅片位置使得硅片处于平衡位置；

当预定数量硅片被装载至真空腔体装置内后，切断第一门阀，将真空腔抽真空至预定真空状态；

打开第二门阀，使得真空腔和第二压力环境处于相同大体相同的压强下，将硅片转移至第二压力环境中。

许多目的、特征、有益效果和优点以及前面所描述的在下面的说明书中本发明的实践中获得并且得出附图中示出的实施例。

附图说明

通过下面的说明书、权利要求以及附图，本发明的这些或其他特征、方面以及优点将变得更加好理解，其中：

图1示出了根据本发明一个实施例的真空腔体装置的正视图和俯视图；

图2示出了根据本发明一个实施例的传感器组；

图3示出了根据本发明一个实施例的硅片支撑架；

图4示出了根据本发明一个实施例的硅片位置调整装置；和

图5示出了根据本发明一个实施例的硅片位置调整装置的两种状态。

具体实施方式