[发明专利]图案化薄膜真空蒸镀装置及方法有效
申请号: | 201610215457.3 | 申请日: | 2016-04-08 |
公开(公告)号: | CN107267926B | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 魏洋;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | C23C14/28 | 分类号: | C23C14/28;C23C14/04;C23C14/50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 薄膜 真空 装置 方法 | ||
本发明提供一种图案化薄膜的真空蒸镀装置,包括真空室、待镀基底、蒸发源条带、激光源及栅网,该蒸发源条带包括蒸发材料及碳纳米管膜结构,该碳纳米管膜结构为一载体,该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面。该栅网包括相对的第一表面及第二表面,该第一表面与该激光源相对且间隔设置,该蒸发源条带能够沿长度方向通过该激光源与该栅网之间,该栅网的第二表面与该待镀基底相对设置,该蒸发源条带通过该激光源与该栅网之间的部分与该待镀基底平行且间隔设置,该蒸发源条带、待镀基底、激光源及栅网均设置在该真空室中。本发明还提供一种图案化薄膜的真空蒸镀方法。
技术领域
本发明涉及一种图案化薄膜真空蒸镀装置及方法。
背景技术
真空蒸镀是将蒸发源在真空中加热,使蒸镀材料气化,并在待镀基底表面沉积成膜的过程。为了形成均匀的薄膜,需要在待镀基底周围形成均匀的气态蒸镀材料。在现有技术中(如中国专利申请CN1970826A)通常需要设置复杂的导流装置将气态蒸镀材料均匀传送至待镀基底表面。尤其当蒸发源为两种以上时,对每种蒸发源的蒸发速率更加难以控制,难以形成预定比例的混合蒸镀材料气体。镀膜尺寸越大,成膜的均匀性越难保证,并且,由于难以控制气态蒸镀材料原子的扩散运动方向,大部分蒸镀材料都不能附着在待镀基底表面,从而造成蒸镀率低且蒸镀速度慢等问题。
发明内容
有鉴于此,确有必要提供一种能够解决上述问题的图案化薄膜真空蒸镀装置及方法。
一种图案化薄膜的真空蒸镀装置,包括真空室、待镀基底、蒸发源条带、激光源及栅网,该蒸发源条带包括蒸发材料及碳纳米管膜结构,该碳纳米管膜结构为一载体,该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面,通过该碳纳米管膜结构承载。该栅网包括相对的第一表面及第二表面,该第一表面与该激光源相对且间隔设置,该蒸发源条带能够沿长度方向通过该激光源与该栅网之间,该栅网的第二表面与该待镀基底相对设置,该蒸发源条带通过该激光源与该栅网之间的部分与该待镀基底平行且间隔设置,该蒸发源条带、待镀基底、激光源及栅网均设置在该真空室中。
一种图案化薄膜的真空蒸镀方法,包括:S1,提供设置在真空室中的蒸发源条带、激光源、栅网及待镀基底,该蒸发源条带包括蒸发材料及碳纳米管膜结构,该碳纳米管膜结构为一载体,该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面,通过该碳纳米管膜结构承载,该栅网包括相对的第一表面及第二表面,该第一表面与该激光源相对且间隔设置,该栅网的第二表面与该待镀基底相对设置;S2,驱动该蒸发源条带沿长度方向通过该激光源与该栅网之间;以及S3,通过该激光源向该蒸发源条带通过该激光源与该栅网之间的部分照射激光,使该蒸发材料气化,通过该栅网的通孔在该待镀基底的待镀表面形成蒸镀层。
相较于现有技术,本发明将自支撑的碳纳米管膜作为蒸镀材料的载体,利用该碳纳米管膜极大的比表面积及自身的均匀性,使承载在该碳纳米管膜上的蒸镀材料在蒸发前即实现较为均匀的大面积分布。在蒸发的过程中利用该自支撑碳纳米管膜瞬时加热的特性,在极短的时间将蒸镀材料完全气化,从而形成均匀且大面积分布的气态蒸镀材料。该待镀基底与该碳纳米管膜间隔距离短,使承载在该碳纳米管膜上的蒸镀材料基本上均能得到利用,有效节约了蒸镀材料,提高了蒸镀速度。该自支撑的碳纳米管膜具有柔性,可以形成一具有蒸发材料的“色带”,方便的不断在激光源与待镀基底之间提供蒸发材料,从而实现在待镀基底表面“打印”形成图案化的真空蒸镀薄膜。
附图说明
图1为本发明实施例提供的图案化薄膜真空蒸镀装置的正视示意图。
图2为本发明实施例提供的栅网的俯视示意图。
图3为本发明实施例提供的栅网、蒸发源条带及激光源的正视示意图。
图4为本发明实施例提供的栅网支架沿蒸发源条带长度方向的侧视示意图。
图5为本发明实施例提供的图案化薄膜真空蒸镀装置各部分功能框图。
图6为本发明实施例提供的激光源及待镀基底的俯视示意图。
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