[发明专利]用于沟槽功率MOSFET的自对准接头有效
| 申请号： | 201610215555.7 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106057895B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 薛宏勇;雷燮光;黄士彰;林靖凯;李文军;杨易昌;邓觉为 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚9408*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 沟槽 功率 mosfet 对准 接头 | ||
【说明书】：
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