[发明专利]一种散射层的制备方法、有机发光二极管

权利要求书

1.一种散射层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在基底上制备具有若干个孔洞结构的掩膜板；

在掩膜板的孔洞结构内沉积具有第一折射率值的材料；

完成沉积具有第一折射率值的材料后，洗去掩膜板，从而在基底上形成若干个突起结构；

在若干个突起结构之间沉积具有第二折射率值的材料，形成平坦层，所述平坦层用于将若干个突起结构平坦化，从而在基底上制备出由若干个突起结构和平坦层组成的散射层，其中第二折射率值大于第一折射率值；

其中，所述在基底上制备具有若干个孔洞结构的掩膜板步骤包括：

在基底上采用开放式掩膜板，通过真空蒸镀或者物理气相沉积法制备具有与开放式掩膜板的图案相同的铝膜；

对制备出的铝膜进行第一次阳极氧化，并洗去氧化生成的氧化铝，形成具有若干个六方密堆积结构的凹槽的铝膜；

将具有若干个六方密堆积结构的凹槽的铝膜进行第二次阳极氧化，直至将凹槽下方的铝全部氧化形成孔洞结构为止。

2.根据权利要求1所述的散射层的制备方法，其特征在于，在掩膜板的孔洞结构内沉积具有第一折射率值的材料的步骤中，采用的沉积方法包括：真空蒸镀、物理气相沉积、化学气相沉积或者脉冲激光沉积。

3.根据权利要求1所述的散射层的制备方法，其特征在于，所述的突起结构包括：半球型突起结构或者柱状突起结构。

4.根据权利要求1所述的散射层的制备方法，其特征在于，具有第一折射率值的材料包括：硅-玻璃键合结构材料、二氧化硅和气凝胶中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的散射层的制备方法，其特征在于，具有第二折射率值的材料包括氮化硅、氧化铟锡和硒化锌中的一种或多种。

6.一种散射层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在铝箔上制备具有若干个孔洞结构的掩膜板，并将掩膜板转移至基底上；

在掩膜板的孔洞结构内沉积具有第一折射率值的材料；

完成沉积具有第一折射率值的材料后，洗去掩膜板，从而在基底上形成若干个突起结构；

在若干个突起结构之间沉积具有第二折射率值的材料，形成平坦层，所述平坦层用于将若干个突起结构平坦化，从而在基底上制备出由若干个突起结构和平坦层组成的散射层，其中第二折射率值大于第一折射率值；

其中，所述在铝箔上制备具有若干个孔洞结构的掩膜板的步骤包括：

对铝箔进行第一次阳极氧化，直至铝箔中的铝不再被氧化，洗去氧化生成的氧化铝，在铝箔上形成具有若干个六方密堆积结构的凹槽；

将具有若干个六方密堆积结构的凹槽的铝箔进行第二次阳极氧化，直至凹槽下方的铝氧化形成规则的孔道结构；

依次洗去具有孔道结构的铝箔中剩余的铝和孔道结构底部的氧化铝，从而形成具有若干个孔洞结构的掩膜板。

7.根据权利要求6所述的散射层的制备方法，其特征在于，所述突起结构包括：半球型突起结构或者柱状突起结构。

8.一种有机发光二极管，包括阴极、有机材料层、ITO阳极和基底，其特征在于，所述有机发光二极管还包括权利要求1至权利要求7中任意一种方法制备的散射层，所述散射层置于ITO阳极与基底之间；或者所述散射层置于所述阴极的一侧上。