[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有伪栅极结构、第一介质层以及位于所述伪栅极结构两侧的侧墙，其中所述伪栅极结构和侧墙位于所述第一介质层内且与所述第一介质层的顶表面齐平；

去除所述伪栅极结构，在所述侧墙之间形成第一开口；

在所述第一开口内形成栅极结构，所述栅极结构的顶表面与所述第一介质层的顶表面齐平；

分别去除所述侧墙的一部分和所述栅极结构的一部分，使剩余侧墙与剩余栅极结构的顶表面低于所述第一介质层的顶表面，从而在第一介质层内形成第二开口；

形成填充所述第二开口的覆盖层，所述覆盖层覆盖剩余栅极结构和剩余侧墙的顶表面，且与所述第一介质层的顶表面齐平。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除的所述侧墙的一部分的厚度大于去除的所述栅极结构的一部分的厚度。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除的所述侧墙的一部分的厚度小于或者等于去除的所述栅极结构的一部分的厚度。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除的所述侧墙的一部分的厚度范围为100埃至1000埃。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除的所述栅极结构的一部分的厚度范围为100埃至1000埃。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述侧墙的一部分在去除所述栅极结构的一部分之前或者之后。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述侧墙的一部分的工艺包括干法刻蚀工艺；所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括CF₃I、O₂、或者H₂。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第一开口内形成栅极结构，包括在所述第一开口内依次形成栅介质层和栅极层；所 述栅介质层覆盖所述第一开口暴露出的基底和侧墙的表面，所述栅极层位于所述栅介质层上，且填充满所述第一开口。

9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述栅极结构的一部分的方法包括：

采用干法或者湿法刻蚀工艺去除所述栅介质层的一部分；

采用干法刻蚀工艺去除所述栅极层的一部分。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料包括氮化硅、氮化钛、碳化硅、氮氧化硅、掺杂碳的氮氧化硅中的一种或者其任意组合。

11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料包括氮化硅、氮氧化硅或掺杂碳的氮氧化硅中的一种或者其任意组合。

12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述伪栅极两侧的基底内形成有源/漏区，形成所述覆盖层之后，还包括在所述第一介质层内形成与所述源/漏区电连接的接触结构。

13.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述接触结构的方法包括：

在所述第一介质层和覆盖层表面形成第二介质层；

在所述第二介质层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出需要形成接触结构的区域；

以所述图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀所述第二介质层和第一介质层，在所述第二介质层和第一介质层中形成第三开口，所述第三开口的底部暴露出所述源/漏区；

在所述第三开口中填充导电材料，平坦化所述导电材料，形成接触结构。