[发明专利]一种LED外延新P层生长方法

权利要求书

1.一种LED外延新P层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、交替生长掺杂In的In_xGa_(1-x)N/GaN发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P层，降温冷却，其特征在于，

所述生长掺杂Mg的P层进一步为：

保持反应腔压力400mbar-900mbar、温度950℃-1000℃，通入流量为50000sccm-70000sccm的NH₃、500sccm-1000sccm的TMIn、100L/min-130L/min的H₂、1000sccm-3000sccm的Cp₂Mg生长5nm-10nm的In_yMg_(1-y)N层，y的取值范围：0.05<y<1；

保持反应腔压力400mbar-900mbar、温度950℃-1000℃、通入流量为50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、1000sccm-3000sccm的Cp₂Mg，生长5nm-10nm的pGaN，Mg的掺杂浓度为1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³；

重复周期性生长In_yMg_(1-y)N/pGaN超晶格层，周期数为10-20，生长In_yMg_(1-y)N层和pGaN层的顺序可置换。

2.根据权利要求1所述LED外延新P层生长方法，其特征在于，

所述处理衬底进一步为：在1000℃-1100℃的H₂气氛下，通入100L/min-130L/min的H₂，保持反应腔压力100mbar-300mbar，处理蓝宝石衬底8min-10min。

3.根据权利要求1所述LED外延新P层生长方法，其特征在于，

所述生长低温缓冲层GaN进一步为：

降温至500℃-600℃，保持反应腔压力300mbar-600mbar，通入流量为10000sccm-20000sccm的NH₃、50sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、在蓝宝石衬底上生长厚度为20nm-40nm的低温缓冲层GaN；

升高温度至1000℃-1100℃，保持反应腔压力300mbar-600mbar，通入流量为30000sccm-40000sccm的NH₃、100L/min-130L/min的H₂、保持温度稳定持续300s-500s，将低温缓冲层GaN腐蚀成不规则小岛。

4.根据权利要求1所述LED外延新P层生长方法，其特征在于，

所述生长不掺杂GaN层进一步为：升高温度到1000℃-1200℃，保持反应腔压力300mbar-600mbar，通入流量为30000sccm-40000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、持续生长2μm-4μm的不掺杂GaN层。