[发明专利]栅缝地同轴馈电金属过孔阶跃阻抗的三极化半槽天线

权利要求书

1.一种栅缝地同轴馈电金属过孔阶跃阻抗的三极化半槽天线，其特征在于该天线包括三个相互垂直放置的单极化的栅缝地金属过孔阶跃阻抗天线(13)；每个单极化的栅缝地金属过孔阶跃阻抗天线(13)包括介质基板(1)、设置在介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、同轴馈线(4)；介质基板(1)的一面是金属地(2)，同轴馈线(4)的外导体(5)与金属地(2)相贴连接；金属地(2)上有辐射槽缝(3)，辐射槽缝(3)的形状是矩形，辐射槽缝(3)位于金属地(2)的中心；金属地(2)上多条平行栅缝(6)构成的栅缝(6)阵列，栅缝(6)的形状是矩形，栅缝位于辐射槽缝(3)的四周，栅缝(6)与辐射槽缝(3)相互垂直；栅缝(6)的一端短路；栅缝(6)的另一端开路，位于介质基板(1)的边缘；辐射槽缝(3)的一端短路，另一端开路；在辐射槽缝(3)靠近开路端的部分，其槽缝的两个边缘，有两排金属化过孔(7)阵列，使得辐射槽缝(3)靠近开路端的部分的特性阻抗变低，形成低阻槽缝(8)；辐射槽缝(3)的其余部分是高阻槽缝(9)，高阻槽缝(9)和低阻槽缝(8)一起构成阶跃阻抗辐射槽缝(3)，产生一个频率较低的低频工作频带和一个频率较高的高频工作频带；金属化过孔(7)穿越介质基板(1)，一头与金属地(2)相连，另一头在介质基板(1)的另一面；同轴馈线(4)的一端是天线的端口(10)，同轴馈线(4)另一端的内导体(12)跨过高阻槽缝(9)，在高阻槽缝(9)的边缘(11)，与金属地(2)连接。

2.根据权利要求1所述的一种栅缝地同轴馈电金属过孔阶跃阻抗的三极化半槽天线，其特征在于改变介质基板(1)的厚度、磁导率和介电常数，可以改变高阻槽缝(9)和低阻槽缝(8)的特性阻抗，改变阶跃阻抗辐射槽缝(3)的高低阻抗比，进而改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。

3.根据权利要求1所述的一种栅缝地同轴馈电金属过孔阶跃阻抗的三极化半槽天线，其特征在于改变低阻槽缝(8)的长度、低阻槽缝(8)在辐射槽缝(3)中的位置，可以调节辐射槽缝(3)的电长度，以实现不同程度的天线小型化，还可以改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。

4.根据权利要求1所述的一种栅缝地同轴馈电金属过孔阶跃阻抗的三极化半槽天线，其特征在于改变栅缝(6)阵列中相邻栅缝(6)的间距、栅缝(6)的宽度、栅缝(6)短路端离辐射槽缝(3)的距离，可以改变天线的工作频率、工作频带的宽度和辐射槽缝(3)的电长度。

5.根据权利要求1所述的一种栅缝地同轴馈电金属过孔阶跃阻抗的三极化半槽天线，其特征在于金属化过孔(7)阵列中，改变相邻金属化过孔(7)的间距，可以调节低阻槽缝(8)的特性阻抗，改变阶跃阻抗辐射槽缝(3)的高低阻抗比，进而改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。

6.根据权利要求1所述的一种栅缝地同轴馈电金属过孔阶跃阻抗的三极化半槽天线，其特征在于改变辐射槽缝(3)的宽度，可以调节低阻槽缝(8)和高阻槽缝(9)的特性阻抗，改变阶跃阻抗辐射槽缝(3)的高低阻抗比，进而改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。