[发明专利]一种芯片封装结构、终端设备及方法有效
| 申请号： | 201610219333.2 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105789065B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 周意保;张文真 | 申请（专利权）人： | OPPO广东移动通信有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/488 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 523860 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 结构 终端设备 方法 | ||
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
基底；
芯片，设置于所述基底之上；
焊球，所述芯片通过焊球连接所述基底，所述焊球呈阵列式分布在所述基底和所述芯片之间，阵列式分布的焊球的行间距沿芯片封装结构的中心点方向依次增大，阵列式分布的焊球的列间距沿芯片封装结构的中心点方向依次增大；
填充层，设置于所述基底之上，且围绕并封装所述芯片远离所述基底的一侧以及所述芯片的侧壁，所述所述填充层的材料为环氧树脂材料，且所述环氧树脂材料呈白色；以及
加强结构，设置于所述基底之上，围绕所述填充层之外侧且邻接所述填充层，并且所述加强结构延伸超出所述基底的边缘。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片通过金线连接所述基底。
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述基底和所述芯片通过透明光学胶粘结。
4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊球的直径的范围为0.22mm～0.3mm和/或相邻焊球间的间距为0.46mm～0.55mm。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述加强结构的热传导系数高于所述基底的热传导系数。
6.根据权利要求1或5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述基底与所述加强结构通过透明光学胶粘结。
7.一种终端设备，其特征在于，包括权利要求1至6任一权项所述的芯片封装结构。
8.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
在所述基底之上设置一芯片；
在所述基底和所述芯片之间设置有呈阵列式分布的焊球，其中，阵列式分布的焊球的行间距沿芯片封装结构的中心点方向依次增大，阵列式分布的焊球的列间距沿芯片封装结构的中心点方向依次增大；
在所述基底之上设置一填充层，所述填充层围绕并封装所述芯片远离所述基底的一侧以及所述芯片的侧壁，所述填充层的材料为环氧树脂材料，且所述环氧树脂材料呈白色；以及
在所述基底之上围绕所述填充层之外侧且邻接所述填充层设置有加强结构，所述加强结构延伸超出所述基底的边缘。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
