[发明专利]发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.发光二极管，包括：N型层、发光层、P型层、接触层及形成于所述P型层与接触层之间的插入层，其特征在于：该插入层由在横向上掺杂区域间断分布的N⁺氮化物层、P⁺氮化物层构成，所述N⁺氮化物层、P⁺氮化物层在该插入层中形成斜向遂穿结，增强电流扩展。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述插入层中P⁺氮化物层、N⁺氮化物层的掺杂区域在所述P型层上的投影不完全重合。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述插入层下至上分别由掺杂区域间断分布的P⁺氮化物层、N⁺氮化物层构成。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述P⁺氮化物层与所述N⁺氮化物层的掺杂区域交错分布。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述P⁺氮化物层中掺杂区域的掺浓度介于接触层与P型层之间。

6.根据权利要求1所述的发光二极管外延片结构，其特征在于：所述P⁺氮化物层、N⁺氮化物层为In_xAl_yGa_（1-x-y）N层（0≤x≤1，0≤y≤1）。

7.发光二极管的制作方法，包括步骤：

1）依次生长N型层，发光层，P型层；

2）在所述P型层上形成插入层，该插入层由掺杂区域间断分布的N⁺氮化物层、P⁺氮化物层构成，所述N⁺氮化物层、P⁺氮化物层在该插入层中形成斜向遂穿结；

3）在所述插入层上形成接触层。

8.根据权利要求7所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤2）包括：

在所述P型层上生长厚度为A的第一非掺氮化物层；

在所述第一非掺氮化物层中间断性注入Mg原子，形成P⁺氮化物层；

在所述P+氮化物层上生长厚度为B的第二非掺氮化镓层；

在所述第二非掺氮化物层中间断性注入Si原子，形成N⁺氮化物层。

9.根据权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所形成的Mg掺区域与Si掺区域在所述P型层上的投影不完全重合。

10.根据权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：通过调整离子注入深度与光刻胶厚度，实现对第一、第二非掺氮化镓层的有效掺杂，形成掺杂区域间断分布的P⁺氮化物层、N⁺氮化物层。

11.根据权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述Mg原子和Si原子的注入深度分别介于A~、B~之间。

12.根据权利要求7所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：通过调整P⁺氮化物层与N⁺氮化物层中掺杂区域重合程度、浓度实现载流子有效的斜向遂穿注入。