[发明专利]一种N型双面电池的制备方法

权利要求书

1.一种N型双面电池的制备方法，其特征在于，包括：

对硅片进行双面热氧化，在所述硅片的上表面和下表面都生成氧化层；

对所述硅片的下表面涂负胶；

除去所述硅片的上表面的氧化层；

除去所述硅片的下表面的负胶；

对所述硅片进行背靠背硼扩散；

对所述硅片的硼扩面涂负胶；

除去所述硅片的下表面的氧化层；

除去所述硅片的上表面的负胶；

对所述硅片进行背靠背磷扩散。

2.如权利要求1所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度是80nm。

3.如权利要求1所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，所述对所述硅片的下表面涂负胶包括：

用匀胶机在所述硅片的下表面涂负胶，保护所述硅片的下表面的氧化层；

将下表面涂好负胶的硅片放在110℃的烘干机上烘10分钟，直到胶干；

其中，所述匀胶机的转速为3.75千转每分钟，时间为30秒。

4.如权利要求1所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，所述除去所述硅片的上表面的氧化层，包括：

将所述硅片浸泡在体积比为10％的HF溶液中5分钟，除去所述硅片上表面的氧化层。

5.如权利要求1所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，所述除去所述硅片下表面的负胶，包括：

将所述硅片浸泡在质量比为1％的碳酸钠溶液中10分钟，除去所述硅片下表面的负胶；

将除去下表面负胶的硅片在70℃的热水中浸泡1分钟；

将硅片浸泡在HCl溶液中，除去金属离子。

6.如权利要求1所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，所述对所述硅片进行背靠背硼扩散，包括：

将所述硅片的上表面朝外，带有氧化层的下表面面对面紧贴着放进去硼扩散，所述硅片的上表面获得均匀的硼扩散，所述硼扩散面获得80nm的BSG，作为阻挡层，方阻为70/□。

7.如权利要求6所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，对所述硅片进行背靠背磷扩散，包括：

将所述硅片的硼扩散面面对面紧贴后放入炉管中进行磷扩散，形成PSG。

8.如权利要求7所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，在所述对所述硅片进行背靠背磷扩散后，还包括：

除去所述硅片表面的BSG和PSG，包括在将硅片浸泡在体积比为10％的HF溶液中浸泡8分钟，将所述硅片表面的BSG、PSG去除。

9.如权利要求8所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，在所述除去所述硅片表面的BSG和PSG后，还包括：

钝化所述硅片的硼扩面，包括用ALD设备在所述硅片的硼扩面制作一层6nm的氧化铝钝化硼扩面，对制作氧化铝钝化硼扩面的硅片进行退火。

10.如权利要求9所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，在所述钝化所述硅片的硼扩面之后，还包括：

对所述硅片进行双面PECVD镀膜；

对所述硅片进行双面丝网印刷。