[发明专利]包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统

说明书

本发明涉及包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统。一种用于控制光学组件(16)与晶圆(30)之间间隙(246)中环境的环境系统(26)包括流体屏障(254)和沉浸流体系统(252)。流体屏障(254)位于晶圆(30)附近。沉浸流体系统(252)输送充满间隙(246)的沉浸流体(248)。沉浸流体系统(252)收集直接位于流体屏障(254)与晶圆(30)之间的沉浸流体(248)。流体屏障(254)可以包括位于晶圆(30)附近的清除入口(286)，并且沉浸流体系统(252)可以包括与清除入口(286)流体连通的低压源(392A)。流体屏障(254)限制沉浸流体(248)的任何蒸汽(249)并且防止它干扰测量系统(22)。另外，环境系统(26)可以包括在流体屏障(254)与晶圆(30)之间引导轴承流体(290C)以相对于晶圆(30)支撑流体屏障(254)的轴承流体源(290B)。

本分案申请是基于申请号为200480009675.7，申请日为2004年3月29日，发明名称为“包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统”的中国专利申请的分案申请。更具体说，本分案申请是基于申请号为201310339659.5，申请日为2004年3月29日，发明名称为“包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统”的分案申请的再次分案申请。

相关申请

本申请要求2003年4月10日提交、名称为“VACUUM RING SYSTEM AND WICK RINGSYSTEM FOR IMMERSION LITHOGRAPHY METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING THERMALDISTORION IN ELEMENTS OF A LITHOGRAPHY SYSTEM(用于控制光刻系统组件中热变形的沉浸光刻方法和设备的真空环形系统和油绳环形系统)”的临时申请序列号60/462,112和2003年7月1日提交、名称为“FLUID CONTROL SYSTEM FOR IMMERSION LITHOGRAPHY TOOL(沉浸光刻工具的流体控制系统)”的临时申请序列号60/484,476号的优先权益。只要允许，临时申请序列号60/462,112和60/484,476的内容在此引用作为参考。

背景技术

在半导体处理过程中，光刻曝光装置通常用于将图像从标线片传送到半导体晶圆上。典型的曝光装置包括照明源，定位标线片的标线片载物台组件，光学组件，定位半导体晶圆的晶圆载物台组件，以及精确监控标线片和晶圆位置的测量系统。

沉浸光刻系统利用完全充满光学组件与晶圆之间间隙的一层沉浸流体。晶圆在典型的光刻系统中快速移动并且它将期望将沉浸流体从间隙中带走。从间隙中漏出的该沉浸流体可能干扰光刻系统其他组件的操作。例如，沉浸流体及其蒸汽可能干扰监控晶圆位置的测量系统。

发明内容

本发明涉及一种控制光学组件与由器件载物台保持的器件之间的间隙中环境的环境系统。该环境系统包括流体屏障和沉浸流体系统。流体屏障位于器件附近并且环绕间隙。沉浸流体系统输送充满间隙的沉浸流体。

在一种实施方案中，沉浸流体系统收集直接位于流体屏障以及器件和器件载物台中至少一个之间的沉浸流体。在该实施方案中，流体屏障包括位于器件附近的清除入口，并且沉浸流体系统包括与清除入口流体连通的低压源。另外，流体屏障可以限制并包含沉浸流体以及来自沉浸流体的任何蒸汽于间隙附近的区域中。

在另一种实施方案中，环境系统包括在流体屏障与器件之间引导轴承流体以相对于器件支撑流体屏障的轴承流体源。在该实施方案中，流体屏障包括位于器件附近的轴承出口。此外，轴承出口与轴承流体源流体连通。

另外，环境系统可以包括使得间隙中的压力近似等于流体屏障外部压力的均压器。在一种实施方案中，例如，均压器是延伸通过流体屏障的通道。