[发明专利]HEMT外延片的制作方法及制备HEMT外延片的设备

权利要求书

1.一种HEMT外延片的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供设备，所述设备包括m个反应腔室，其中m为自然数，且m≥3；

提供支撑衬底，将所述支撑衬底置于第一反应腔室中，并在第一反应腔室 中形成成核层；

将形成有所述成核层的支撑衬底传输至第二反应腔室中，并在第二反应腔 室中形成含有Ga元素的缓冲层，并对所述缓冲层进行掺杂；

将形成有所述成核层及缓冲层的支撑衬底传输至剩余反应腔室中，并在剩 余反应腔室中形成剩余薄膜层。

2.如权利要求1所述的HEMT外延片的制作方法，其特征在于，所述缓冲 层的材料包括ⅢA族和ⅤA族中的元素。

3.如权利要求2所述的HEMT外延片的制作方法，其特征在于，所述缓冲 层的材料包括GaN或AlGaN中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的HEMT外延片的制作方法，其特征在于，所述缓冲 层中的掺杂元素包括铁元素或碳元素中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的HEMT外延片的制作方法，其特征在于，所述支撑 衬底为硅衬底。

6.如权利要求1所述的HEMT外延片的制作方法，其特征在于，所述成核 层的材料包括AlN、Al或Al₂O₃中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的HEMT外延片的制作方法，其特征在于，在剩余反 应腔室中形成的剩余薄膜层包括沟道层和势垒层。

8.如权利要求7所述的HEMT外延片的制作方法，其特征在于，所述沟道 层的材料为GaN。

9.如权利要求7所述的HEMT外延片的制作方法，其特征在于，所述势垒 层的材料为AlGaN。

10.如权利要求7所述的HEMT外延片的制作方法，其特征在于，所述设 备包括3个反应腔室，所述沟道层和势垒层在同一个第三反应腔室中形成。

11.如权利要求7所述的HEMT外延片的制作方法，其特征在于，所述设 备至少包括4个反应腔室，所述沟道层和势垒层分别在第三反应腔室和第四反 应腔室中形成。

12.一种制备HEMT外延片的设备，用于制备如权利要求1所述的HEMT 外延片，其特征在于，包括m个反应腔室，其中m为自然数，且m≥3。

13.如权利要求12所述的制备HEMT外延片的设备，其特征在于，还包括 n个传递腔，连接在m个反应腔室之间，用于传递支撑衬底，其中n为自然数， 且n<m。

14.如权利要求13所述的制备HEMT外延片的设备，其特征在于，还包括 i个机械手臂，每一个所述传递腔内至少设有一个机械手臂，其中i为自然数。

15.如权利要求12所述的制备HEMT外延片的设备，其特征在于，所述制 备HEMT外延片的设备为MOCVD。

16.如权利要求12所述的制备HEMT外延片的设备，其特征在于，包括3 个反应腔室，分别为第一反应腔室、第二反应腔室和第三反应腔室，所述第一 反应腔室用于形成成核层，所述第二反应腔室用于形成缓冲层，所述第三反应 腔室用于形成沟道层和势垒层。

17.如权利要求12所述的制备HEMT外延片的设备，其特征在于，包括4 个反应腔室，分别为第一反应腔室、第二反应腔室、第三反应腔室和第四反应 腔室，所述第一反应腔室用于形成成核层，所述第二反应腔室用于形成缓冲层， 所述第三反应腔室用于形成沟道层，所述第四反应腔室用于形成势垒层。