[发明专利]蓝宝石窗片上制备菲涅尔透镜的方法及其应用有效
申请号: | 201610223487.9 | 申请日: | 2016-04-12 |
公开(公告)号: | CN105742176B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 袁永刚;王建忠;刘伯路;李政涛;张璐璐 | 申请(专利权)人: | 上海申色电气有限公司;思源电气股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/02;G02B3/08 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王毓理;王锡麟 |
地址: | 201108 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蓝宝石 窗片上 制备 菲涅尔 透镜 方法 及其 应用 | ||
1.一种蓝宝石窗片上制备菲涅尔透镜的方法,其特征在于,首先利用二元光学原理设计硅晶圆掩模板,并在硅晶圆表面进行精准嵌套刻蚀以制备出菲涅尔透镜结构;然后通过刻蚀好的硅晶圆制备压印模板,并通过压印法和刻蚀工艺在蓝宝石窗片上制备得到菲涅尔透镜;
所述的利用二元光学原理设计硅晶圆掩模板是指:掩模板明暗区域的半径遵循公式k=0,1,2,3……,r(k,m)是第m层掩模板上第k个圆形图案外层边界的半径,k为0时代表的是最外层透光区域的外边界,从最外层的图案到中间图案k依次递增,f是透镜的焦距,λ为紫外探测器所要探测紫外线的波长;
所述的精准嵌套刻蚀,使用掩模板在硅晶圆上进行四次嵌套刻蚀,在硅晶圆上刻蚀出菲涅尔透镜的台阶结构;后一次的刻蚀与前一次的刻蚀位置精确对准。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征是,为了制作出小于400nm波长紫外线的聚焦透镜,所述的精准嵌套刻蚀中每次刻蚀的深度为280~400nm,台阶总高度为1.12~1.6μm。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述的精准嵌套刻蚀,采用反应离子刻蚀或感应耦合等离子体刻蚀。
4.根据权利要求1或3所述的方法,其特征是,所述的精准嵌套刻蚀,当采用反应离子刻蚀方式时,使用的刻蚀气体为SF6,射频功率为20W,工作气压为8.00Pa,刻蚀时间为3~5min。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述的压印模板采用:通过蒸镀镍薄膜后电镀镍厚膜制备镍压印模板,通过旋涂乙烯基聚二甲基硅氧烷h-PDMS制备h-PDMS压印模板。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述的压印法,采用压印模板对光刻胶进行压印的方法为在蓝宝石窗片上旋涂2μm厚的PMMA热压胶,80℃下烘干,利用金属镍压印模板压印旋涂好PMMA的蓝宝石窗片,压力为1MPa,温度为160℃,持续5min。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述的刻蚀工艺,当采用感应耦合等离子体刻蚀时,刻蚀条件为:BCl3 80sccm,Cl2 20sccm,ICP 2500W,RF 500W,刻蚀时间为5~9min。
8.一种根据上述任一权利要求所述方法制备得到的菲涅尔透镜的应用,其特征在于,将带有菲涅尔透镜的蓝宝石窗片与紫外探测器芯片对准并封装,从而将紫外线聚焦于紫外探测器的吸收区域。
9.根据权利要求8所述的应用,其特征是,所述的紫外探测器为GaN、SiC、AlxGa1-xN、CdS、ZnO或金刚石探测器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造