[发明专利]一种LED结构及其制作方法

权利要求书

1.一种LED结构，其特征在于，包括

衬底；

外延层，所述外延层包括依次形成于所述衬底上的N型半导体层、有源层以及P型半导体层，所述外延层中形成有至少一个暴露所述N型半导体层的凹槽；

第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层覆盖所述P型半导体层以及凹槽的表面，所述第一绝缘介质层中形成有暴露至少部分凹槽的第一窗口以及暴露至少部分P型半导体层的第二窗口；

电流扩展层，所述电流扩展层仅形成于第二窗口暴露的P型半导体层的表面上；

第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层直接覆盖所述第一绝缘介质层、电流扩展层和被第一窗口暴露的N型半导体层，所述第二绝缘介质层中形成有第一开孔和第二开孔；以及

第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘通过第一开孔与N型半导体层形成电连接，所述第二焊盘通过第二开孔与P型半导体层形成电连接。

2.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述电流扩展层的厚度小于或等于所述第一绝缘介质层的厚度。

3.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述第二开孔贯穿所述第二绝缘介质层，所述第二焊盘与所述电流扩展层接触。

4.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述第二开孔贯穿所述第二绝缘介质层和电流扩展层，所述第二焊盘与所述P型半导体层接触。

5.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述电流扩展层的材质为ITO或ZnO中的至少一种。

6.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述第一绝缘介质层的材质为化合物或聚合物中的至少一种。

7.如权利要求6所述的LED结构，其特征在于，所述化合物为硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物，所述聚合物为聚酰亚胺。

8.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述第二绝缘介质层的材质为化合物或聚合物中的至少一种。

9.如权利要求8所述的LED结构，其特征在于，所述化合物为硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物，所述聚合物为聚酰亚胺。

10.如权利要求1至9中任一项所述的LED结构，其特征在于，所述第一绝缘介质层的厚度比所述电流扩展层的厚度大0.1微米。

11.如权利要求1至9中任一项所述的LED结构，其特征在于，所述电流扩展层的厚度小于或等于0.5微米。

12.如权利要求11所述的LED结构，其特征在于，所述电流扩展层采用溅射工艺形成，所述电流扩展层的厚度小于等于0.1微米；或者，所述电流扩展层采用蒸发工艺形成，所述电流扩展层的厚度为0.2～0.3微米。

13.如权利要求1至9中任一项所述的LED结构，其特征在于，所述凹槽的深度大于所述有源层和P型半导体层厚度的总和且小于所述外延层的厚度。