[发明专利]单晶硅锭及晶圆的形成方法

权利要求书

1.一种单晶硅锭的形成方法，其利用区熔法形成单晶硅锭，其特征在于，在熔融区的硅中通入含有氘元素的气体。

2.如权利要求1所述的单晶硅锭的形成方法，其特征在于，所述气体为氘气。

3.如权利要求1所述的单晶硅锭的形成方法，其特征在于，所述气体为氘气与氩气、氢气或氮气中的一种或多种气体的混合气体。

4.如权利要求3所述的单晶硅锭的形成方法，其特征在于，所述气体为氘气与氩气的混合气体。

5.如权利要求4所述的单晶硅锭的形成方法，其特征在于，所述氘气与氩气的百分比为0.1％～99％。

6.如权利要求1～5中任一项所述的单晶硅锭的形成方法，其特征在于，所述气体还包括掺杂气体，所述掺杂气体为PH₃、AsH₃或B₂H₆。

7.如权利要求6所述的单晶硅锭的形成方法，其特征在于，所述含有氘元素的气体通入熔融区的硅中，通过以下方式进行：由设置于单晶制造装置中环绕原料棒并与射频加热线圈固定连接的气体喷射器喷射至熔融区的硅中。

8.如权利要求7所述的单晶硅锭的形成方法，其特征在于，在通入熔融区之前，所述含有氘元素的气体在气体混合箱中进行混合。

9.如权利要求7所述的单晶硅锭的形成方法，其特征在于，移动设置于单晶制造装置中的射频线圈与气体喷射器使得熔融区从原料棒的一端移动到另一端。

10.如权利要求9所述的单晶硅锭的形成方法，其特征在于，重复上述步骤一次或多次，并且在重复时不通入气体。

11.一种晶圆的形成方法，采用单晶硅锭作为原始材料形成晶圆，其特征在于，所述单晶硅锭采用如权利要求1～10中任一项所述的单晶硅锭的形成方法形成，所述晶圆中含有氘元素。

12.如权利要求11所述的晶圆的形成方法，其特征在于，包括步骤：

对所述单晶硅锭依次进行切薄、表面磨削、抛光、边缘处理及清洗处理，形成晶圆。