[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法有效

专利信息
申请号: 201610225696.7 申请日: 2016-04-12
公开(公告)号: CN105741781B 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 聂诚磊 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: amoled 像素 驱动 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1);所述第一薄膜晶体管(T1)作为驱动薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管(T2)作为开关薄膜晶体管;

所述第一薄膜晶体管(T1)为双栅极薄膜晶体管,其底栅(BG)电性连接于第一节点(B),顶栅(TG)电性连接于第三节点(T),漏极电性连接于第二节点(D),源极电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极;

第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描控制信号(S1),源极接入数据信号(Data),漏极电性连接于第一节点(B);

第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描控制信号(S2),源极接入预设电压(Vpre),漏极电性连接于第一节点(B);

第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描控制信号(S3),源极接入电源电压(VDD),漏极电性连接于第二节点(D);

第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第二扫描控制信号(S2),源极电性连接于第三节点(T),漏极电性连接于第二节点(D);

第一电容(C1)的一端电性连接于第一节点(B),另一端接地;

第二电容(C2)的一端电性连接于第三节点(T),另一端接地;

有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的源极,阴极接地。

2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、与第三扫描控制信号(S3)均通过外部时序控制器提供。

3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、及第五薄膜晶体管(T5)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。

4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,所述预设电压(Vpre)为一恒定电压。

5.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、及第三扫描控制信号(S3)相组合,先后对应于一预充电阶段、一阈值电压编程阶段、及一驱动发光阶段;

在所述预充电阶段,所述第一扫描控制信号(S1)提供低电位,第二扫描控制信号(S2)提供高电位,第三扫描控制信号(S3)提供高电位;

在所述阈值电压编程阶段,所述第一扫描控制信号(S1)提供低电位,第二扫描控制信号(S2)提供高电位,第三扫描控制信号(S3)提供低电位;

在所述驱动发光阶段,所述第一扫描控制信号(S1)提供高电位脉冲信号,第二扫描控制信号(S2)提供低电位,第三扫描控制信号(S3)提供高电位。

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