[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底、栅电极层、栅介质层、沟道层、源电极层和漏电极层；

其中，所述栅电极层形成于所述衬底表面；所述栅介质层形成于所述栅电极层表面；所述沟道层形成于所述栅介质层表面；所述源电极层和所述漏电极层均形成于所述沟道层表面，且所述源电极层与所述漏电极层之间具有间隔；

或

所述沟道层形成于所述衬底表面；所述栅介质层形成于所述沟道层表面；所述源电极层和所述漏电极层分别形成于所述沟道层未被所述栅介质层覆盖的表面，且所述源电极层和所述漏电极层分别位于所述栅介质层的两侧；所述栅电极层形成于所述栅介质层表面；

其中，所述沟道层为锌锡氮薄膜；所述锌锡氮薄膜的化学式为：Zn_xSn_yN_z；

x为所述锌锡氮薄膜中锌元素的原子含量，y为所述锌锡氮薄膜中锡元素的原子含量，z为所述锌锡氮薄膜中氮元素的原子含量。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述锌锡氮薄膜中，锌元素与锡元素的原子比为：1.5—7。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述锌锡氮薄膜中，锌元素与锡元素的原子比为6.66。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述锌锡氮薄膜的厚度为20nm—100nm。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述锌锡氮薄膜的厚度为：20nm—50nm。

6.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管，包括如下步骤：

采用镀膜工艺在衬底表面依次制备形成栅电极层和栅介质层；在所述栅介质层表面制备形成沟道层；在所述沟道层表面制备形成源电极层和漏电极层，完成底栅结构的所述薄膜晶体管的制备后，进行退火处理；所述源电极层与所述漏电极层之间具有预设间隔；

或

采用镀膜工艺在所述衬底表面制备形成所述沟道层；在所述沟道层表面制备形成所述栅介质层；在所述沟道层未被所述栅介质层覆盖的表面制备形成所述源电极层和所述漏电极层；其中，所述源电极层和所述漏电极层分别位于所述栅介质层的两侧；在所述栅介质层表面制备形成所述栅电极层；完成顶栅结构的所述薄膜晶体管的制备后，进行所述退火处理；

其中，所述沟道层为锌锡氮薄膜；所述锌锡氮薄膜的化学式为：Zn_xSn_yN_z；

x为所述锌锡氮薄膜中锌元素的原子含量，y为所述锌锡氮薄膜中锡元素的原子含量，z为所述锌锡氮薄膜中氮元素的原子含量。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，制备形成所述沟道层时，采用磁控溅射沉积工艺进行制备；且

采用所述磁控溅射工艺制备形成所述沟道层时，沉积工艺气体为氮气。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，采用所述磁控溅射工艺制备形成所述沟道层时，沉积腔室的压强为1.5pa—2.5pa，溅射功率为100W—150W。

9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，在完成所述底栅结构的所述薄膜晶体管的制备或所述顶栅结构的所述薄膜晶体管的制备之后，进行退火处理时，退火气氛为惰性气体，退火温度为200℃—400℃，退火时间为3小时—10小时。

10.一种显示装置，其特征在于，包括显示单元；

所述显示单元包括权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管。