[发明专利]绝缘环、预清洗腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种绝缘环，应用在预清洗腔室中，在所述预清洗腔室内设置有基座，所述基座包括用于承载晶片下表面的中心区域的第一承载面；所述绝缘环设置在所述基座上，且环绕在所述第一承载面的边缘处，其特征在于，所述绝缘环包括环形本体，所述环形本体具有第二承载面和环形凸台，其中，

所述第二承载面与所述晶片下表面的边缘区域相对设置；

所述环形凸台环绕在所述第二承载面边缘处，且所述环形凸台的上表面高于所述晶片的上表面。

2.根据权利要求1所述的绝缘环，其特征在于，所述第二承载面为平面，且与所述晶片下表面的边缘区域相接触。

3.根据权利要求2所述的绝缘环，其特征在于，所述环形凸台的内周面与所述第二承载面相互垂直。

4.根据权利要求1所述的绝缘环，其特征在于，所述环形凸台的上表面与所述第二承载面之间的竖直间距的取值范围在3～5mm。

5.根据权利要求1所述的绝缘环，其特征在于，所述基座包括环形凹槽，所述环形凹槽设置在所述第一承载面的边缘处；所述环形本体设置在所述环形凹槽上。

6.一种预清洗腔室，包括设置在其内的基座和绝缘环，所述基座包括用于承载晶片的承载面，所述绝缘环设置在所述基座上，且环绕在所述承载面的边缘处；其特征在于，所述绝缘环采用权利要求1-5任意一项所述的绝缘环。

7.一种半导体加工设备，包括预清洗腔室，在所述预清洗腔室 的顶部设置有线圈，通过向所述线圈加载射频功率，来激发所述预清洗腔室内的反应气体形成等离子体，其特征在于，所述预清洗腔室采用权利要求6所述的预清洗腔室，并且，通过向所述基座加载射频偏压，而使所述等离子体朝向所述晶片运动。

8.根据权利要求7所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括物理气相沉积设备。

9.根据权利要求7所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括等离子体刻蚀设备。