[发明专利]一种DMR数字信号中转电路在审

专利信息
申请号: 201610227665.5 申请日: 2016-04-13
公开(公告)号: CN105763218A 公开(公告)日: 2016-07-13
发明(设计)人: 宋玉超;裴亚莉;王艺杰;程小伟;翟季青;孙晓杰;崔佳;刘子姣;李鲁升 申请(专利权)人: 国家电网公司;国网山东省电力公司威海供电公司
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40;H04B1/54
代理公司: 威海科星专利事务所 37202 代理人: 于涛
地址: 100000*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 dmr 数字信号 中转 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及通信技术领域,具体涉及一种DMR数字信号中转电路。

背景技术

随着无线电通信技术的发展,人们对无线通信的质量有了更高的要求,但无线电频谱资源又日益缺乏,数字对讲机的出现,提供了更丰富、开放、强大的使用类型及用户需求,比如DMR集群通信系统采用基于2时隙的TDMA技术,每一路无线载波在上行和下行链路上安排2个时隙,每时隙30ms,每个时隙可作为独立的通信信道,具有等同的带宽(6.25kHz),原信道仍可维持与模拟12.5kHz信号相同的配置。

在信道工作方式上,DMR标准也规定了三种:(1)时分双工I,两个逻辑信道分别传输一路业务;(2)十分半双工,单个逻辑信道用于传输业务;(3)时分双工II,一个逻辑信道用于传输业务,另一个逻辑信道用于传输反向信道突发,但是同频中转实现语发射和接收,由于其电路设计复杂性,难以推广和运用。

发明内容

本发明的目的就是为了解决上述技术问题,提供一种DMR数字信号中转电路,使用第1个时隙发射语音或使用第2个时隙可用于接收语音,使用两个时隙来实现同频中转。

为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案是,

一种DMR数字信号中转电路,包括接收PLL频率合成电路、接收VCO电路、接收电路、MCU控制电路、发射PLL频率合成电路、发射VCO电路、发射电路和DMR电路,所述接收PLL频率合成电路接收频率的锁相处理,控制接收VCO电路输出一个稳定的频率,所述接收VCO电路提供一个稳定的频率给接收电路,所述接收电路接收天线进来的信号并和接收VCO电路提供的频率信号进行混频,输出一个混频信号给DMR电路进行信号处理,发射PLL频率合成电路为发射频率的锁相处理,控制发射VCO电路输出一个稳定的频率;发射VCO电路为受电压控制的频率振荡器,把DMR电路送来的数字信号调制到高频载波信号上,输出一个经过调频的载波信号给发射电路;发射电路把发射VCO电路送来的载波信号经过放大后经过天线发射,所述MCU控制电路协调接收PLL频率合成电路输出一个稳定的频率,协调发射PLL频率合成电路输出一个稳定的频率,协调DMR电路对接收电路进行混频处理,以及协调DMR电路对发射电路产生射频型号。

进一步的,所述接收VCO电路2为受电压控制的频率振荡器。

进一步的,所述发射电路7为高频功率放大电路。

进一步的,所述MCU控制电路为单片机控制电路。

本发明通过采用上述技术方案,与现有技术相比,具有如下优点:一是实现在同一个频率下可中转的DMR数字信号系统,二是提高无线资源的利用率,在工信部允许的频率范围内可灵活调整接收和发射的频率。

附图说明

图1是本发明一种实施例的结构示意图。

具体实施方式

现结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。

作为一个具体的实施例,如图1所示,本发明的一种DMR数字信号中转电路,包括接收PLL频率合成电路1、接收VCO电路2、接收电路3、MCU控制电路4、发射PLL频率合成电路5、发射VCO电路6、发射电路7和DMR电路8,所述接收PLL频率合成电路1接收频率的锁相处理,控制接收VCO电路2输出一个稳定的频率,所述接收VCO电路2所述接收VCO电路2为受电压控制的频率振荡器,其提供一个稳定的频率给接收电路3,所述接收电路3接收天线进来的信号并和接收VCO电路2提供的频率信号进行混频,输出一个混频信号给DMR电路8进行信号处理,发射PLL频率合成电路5为发射频率的锁相处理,控制发射VCO电路6输出一个稳定的频率;发射VCO电路6为受电压控制的频率振荡器,把DMR电路8送来的数字信号调制到高频载波信号上,输出一个经过调频的载波信号给发射电路7;所述发射电路7为高频功率放大电路,发射电路7把发射VCO电路6送来的载波信号经过放大后经过天线发射。所述MCU控制电路为单片机控制电路,所述MCU控制电路协调接收PLL频率合成电路1输出一个稳定的频率,协调发射PLL频率合成电路5输出一个稳定的频率,协调DMR电路8对接收电路3进行混频处理,以及协调DMR电路8对发射电路产生射频型号。

尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本发明,但所属领域的技术人员应该明白,在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内,在形式上和细节上可以对本发明做出各种变化,均为本发明的保护范围。

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