[发明专利]液晶显示器件及包括该液晶显示器件的电子设备有效
申请号: | 201610231150.2 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN105702688B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 荒泽亮;宍户英明;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;G09G3/36 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 金红莲 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 器件 包括 电子设备 | ||
1.一种液晶显示器件,包括:
液晶面板;以及
驱动电路IC,
其中,所述液晶面板包括:
第一布线;
第二布线;
晶体管;
电容器;
所述第一布线、所述第二布线、所述晶体管、和所述电容器上的氧化物绝缘层;以及
所述氧化物绝缘层上的液晶元件,
其中,所述晶体管的栅极电连接到所述第一布线,
其中,所述晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第二布线,
其中,所述晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述液晶元件和所述电容器,
其中,所述晶体管的沟道形成区包括氧化物半导体,该氧化物半导体包含铟、镓和锌,
其中,所述电容器包括电极以及所述晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个的一部分,
其中,所述晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个的所述一部分位于所述电极上方,
其中,所述氧化物绝缘层与所述沟道形成区接触,
其中,所述电容器的电容小于所述液晶元件的电容,
其中,利用二次离子质谱分析技术测量出的所述氧化物半导体中的氢浓度小于或等于5×1019原子/cm3,
其中,所述晶体管具有如下电特性:在温度处于-30℃到120℃的范围内的条件下,流过作为所述沟道形成区的区域的截止电流小于或等于1×10-12A,且
其中,在所述条件下,所述晶体管的所述源极与所述漏极之间的电压为6V。
2.如权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,所述温度是-30℃。
3.如权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,所述温度是120℃。
4.如权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,
所述沟道形成区设置成隔着栅极绝缘层与所述栅极重叠。
5.一种电子设备,包括如权利要求1所述的液晶显示器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的