[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610231158.9 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105702631B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;加藤清 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792;G11C11/402;G11C11/405 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金红莲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的第一晶体管；
包括第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的第二晶体管；以及
包括一对电极的电容器，
其中，所述第一栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个、以及所述电容器的一个电极彼此电连接，
其中，所述电容器的另一个电极电连接至第一驱动器电路，
其中，所述第二栅电极电连接至第二驱动器电路，
其中，所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一个电连接至第三驱动器电路，
其中，所述第一源电极和所述第一漏电极中的一个电连接至第四驱动器电路，
其中，所述第二晶体管包括氧化物半导体层，且
其中，所述第一晶体管的沟道形成区包括硅。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一晶体管的所述沟道形成区与所述第一栅电极重叠。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述沟道形成区设于硅衬底中。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一晶体管包括沟道形成区和金属化合物区，
其中，所述沟道形成区与所述第一栅电极重叠，且
其中，所述沟道形成区设于所述金属化合物区之间。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅电极设于所述氧化物半导体层上。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二源电极和所述第二漏电极与所述氧化物半导体层的上表面接触。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二源电极和所述第二漏电极与所述氧化物半导体层的下表面接触。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括绝缘层，该绝缘层在所述第二源电极与所述氧化物半导体层之间。
10.一种电子设备，包括如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电子设备是选自以下组中的一个电子设备：计算机、移动电话、便携式信息终端、数码相机、数码摄像机、电子纸和电视设备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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