[发明专利]SRAM存储器及其形成方法

说明书

一种SRAM存储器及其形成方法，其中SRAM存储器包括：基底；传输晶体管，所述传输晶体管包括：传输栅极结构，位于基底上；第一传输源漏区和第二传输源漏区，分别位于所述传输栅极结构两侧的基底中，部分第一传输源漏区和部分第二传输源漏区被传输栅极结构遮盖，所述传输栅极结构遮盖的第一传输源漏区为第一遮盖区，所述传输栅极结构遮盖的第二传输源漏区为第二遮盖区，在垂直于传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二遮盖区的尺寸大于第一遮盖区的尺寸。所述SRAM存储器使读写速度同时提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种SRAM存储器及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，存储器呈现出高集成度、快速、低功耗的发展趋势。

从功能上将存储器分为随机存储器(RAM，Random Access Memory)和只读存储器(ROM，Read Only Memory)。随机存储器工作时，可以随时从任何一个指定的地址读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元。随机存储器的读写操作方便，使用灵活。

随机存储器可以分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)。其中，SRAM利用带有正反馈的触发器来存储数据，主要依靠依靠持续的供电来保持数据的完整性，在使用过程中，不需刷新。SRAM已被广泛应用在计算机的高速缓存和频繁的数据处理中。

然而，现有技术中静态随机存储器的读写速度不能同时提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种SRAM存储器及其形成方法，以使SRAM存储器的读写速度得以同时提高。

为解决上述问题，本发明提供一种SRAM存储器，包括：基底；传输晶体管，所述传输晶体管包括：传输栅极结构，位于基底上；第一传输源漏区和第二传输源漏区，分别位于所述传输栅极结构两侧的基底中，部分第一传输源漏区和部分第二传输源漏区被传输栅极结构遮盖，所述传输栅极结构遮盖的第一传输源漏区为第一遮盖区，所述传输栅极结构遮盖的第二传输源漏区为第二遮盖区，在垂直于传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二遮盖区的尺寸大于第一遮盖区的尺寸。

可选的，所述基底包括第一区域和第二区域；所述传输晶体管包括第一传输晶体管和第二传输晶体管；所述第一传输晶体管包括：第一传输栅极结构，位于第一区域的基底上；第一子传输源漏区和第二子传输源漏区，分别位于所述第一传输栅极结构两侧的基底中，部分第一子传输源漏区和部分第二子传输源漏区被第一传输栅极结构遮盖，第一传输栅极结构遮盖的第一子传输源漏区为第一子遮盖区，第一传输栅极结构遮盖的第二子传输源漏区为第二子遮盖区，在垂直于第一传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二子遮盖区的尺寸大于所述第一子遮盖区的尺寸；所述第二传输晶体管包括：第二传输栅极结构，位于第二区域的基底上；第三子传输源漏区和第四子传输源漏区，分别位于所述第二传输栅极结构两侧的基底中，部分第三子传输源漏区和部分第四子传输源漏区被第二传输栅极结构遮盖，第二传输栅极结构遮盖的第三子传输源漏区为第三子遮盖区，第二传输栅极结构遮盖的第四子传输源漏区为第四子遮盖区，在垂直于第二传输栅极结构侧壁的方向上，所述第四子遮盖区的尺寸大于所述第三子遮盖区的尺寸。

可选的，所述第一传输晶体管还包括：第一子传输侧墙，位于第一传输栅极结构一侧侧壁，部分第一子传输源漏区被第一传输栅极结构和第一子传输侧墙遮盖；第二子传输侧墙，位于第一传输栅极结构另一侧侧壁，部分第二子传输源漏区被第一传输栅极结构和第二子传输侧墙遮盖，所述第二子传输侧墙的厚度小于第一子传输侧墙的厚度；所述第二传输晶体管还包括：第三子传输侧墙，位于第二传输栅极结构一侧侧壁，部分第三子传输源漏区被第二传输栅极结构和第三子传输侧墙遮盖；第四子传输侧墙，位于第二传输栅极结构另一侧侧壁，部分第四子传输源漏区被第二传输栅极结构和第四子传输侧墙遮盖，所述第四子传输侧墙的厚度小于第三子传输侧墙的厚度。