[发明专利]一种晶体硅\非晶硅双节太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体硅/非晶硅双节太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池从上而下依次为：电池的正极、减反射膜、透明导电前电极、非晶硅P层、本征非晶硅层、微晶硅N层、微晶硅P层、非晶硅I层、N型硅衬底、非晶硅I层、非晶硅N层、透明导电背电极、电池的负极，其中所述减反射膜包括底层二氧化硅层、中间层氮化硅层和表层二氧化硅层，所述透明导电前电极包括依次层叠的第一石墨烯层、金属网格薄膜层以及第二石墨烯层，所述透明导电背电极包括依次层叠的第三石墨烯层以及纳米金属层。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅/非晶硅双节太阳能电池，其特征在于：本征非晶硅层的厚度为300-2000nm；非晶硅I层的厚度均为5-30nm；非晶硅P层、非晶硅N层、微晶硅N层和微晶硅P层的厚度均为10nm-30nm。

3.根据权利要求1所述的一种晶体硅/非晶硅双节太阳能电池，其特征在于：N型硅衬底的电阻率为：0.3Ω·cm-6Ω·cm。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅/非晶硅双节太阳能电池，其特征在于：微晶硅N层的光敏性为1-10，电导率为1-10S/cm；微晶硅P层的光敏性为1-10，电导率在0.1-10S/cm；非晶硅I层的光敏性为105。

5.根据权利要求1所述的一种晶体硅/非晶硅双节太阳能电池，其特征在于：所述底层二氧化硅层的厚度为5-20nm,所述中间层氮化硅层的厚度为50-90nm,所述表层二氧化硅层的厚度为80-100nm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种晶体硅/非晶硅双节太阳能电池的制造方法，其特征在于：具体步骤如下：

(1)对N型单晶硅半导体衬底表面绒面化并进行化学清洗；

(2)在N型硅衬底两面沉积非晶硅I层；

(3)沉积非晶硅N层；

(4)沉积微晶硅P层；

(5)沉积前电池的微晶硅N层；

(6)沉积前电池的本征非晶硅层；

(7)沉积前电池的非晶硅P层；

(8)制备透明导电前电极和透明导电背电极；

(9)制备减反射膜；

(10)制备银电极作为电池的正极和负极。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：制备透明导电前电极包括：形成第一石墨烯层，并将所述第一石墨烯层转移至所述非晶硅P层上；

在所述第一石墨烯层上形成金属网格薄膜层；以及形成第二石墨烯层，并将所述第二石墨烯层转移至所述金属网格薄膜层上，以得到所述透明导电前电极。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：制备透明导电背电极包括：形成第三石墨烯层，并将所述第三石墨烯层转移至所述非晶硅N层上；

再在所述第三石墨烯层上形成纳米金属层，以得到所述透明导电背电极。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：制备减反射膜包括：在所述透明导电前电极上依次沉积底层二氧化硅层、中间层氮化硅层和表层二氧化硅层。