[发明专利]一种内嵌参考电压的LDO

权利要求书

1.一种内嵌参考电压的LDO，其特征在于：包括启动电路、PTAT电流产生器、跨阻放大器、带有频率补偿的误差放大器、功率驱动管和反馈网络；所述启动电路与PTAT电流产生器连接，所述跨阻放大器对流过反馈网络的电流和PTAT电流产生器产生的电流进行运算，然后转换为电压信号V1，电压信号V1通过误差放大器放大得到控制电压Vc，控制电压信号Vc控制功率驱动管MP的栅极以调整流经反馈网络的电流；所述跨阻放大器与误差放大器的连接端与频率补偿单元的一端连接，所述功率驱动管与反馈网络的连接端与频率补偿单元的另一端连接。

2.根据权利要求1所述的内嵌参考电压的LDO，其特征在于：所述启动电路包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2和第一NMOS管MN1；所述第一PMOS管MP1的源极、第二PMOS管MP2的源极接电源VDD，所述第一PMOS管MP1的栅极与第一NMOS管MN1的源极、第一NMOS管MN1的漏极接地；所述第一PMOS管MP1的漏极分别与第一NMOS管MN1的栅极、第二PMOS管MP2的栅极连接，第二PMOS管MP2的漏极与PTAT电流产生器连接。

3.根据权利要求2所述的内嵌参考电压的LDO，其特征在于：所述PTAT电流产生器包括第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第五NMOS管MN5和第一电阻器R1；所述第三PMOS管MP3的源极、第四PMOS管MP4的源极与连接电源VDD，所述第三PMOS管MP3的栅极与第四PMOS管MP4的栅极连接，第三PMOS管MP3的栅极与漏极连接；第三PMOS管MP3的漏极与第二NMOS管MN2的漏极连接，第二NMOS管MN2的源极经第一电阻器R1接地；第二PMOS管MP2的漏极分别与第二NMOS管MN2的栅极、第三NMOS管MN3的栅极、第三NMOS管MN3的漏极、第四PMOS管MP4的漏极、第五NMOS管MN5的栅极连接；第三NMOS管MN3的源极接地，第五NMOS管的源极接地，第五NMOS管的漏极与跨阻放大器连接。

4.根据权利要求3所述的内嵌参考电压的LDO，其特征在于：所述跨阻放大器包括第五PMOS管MP5和第六PMOS管MP6，所述第五PMOS管MP5的源极、第六PMOS管MP6的源极接电源VDD，所述第五PMOS管MP5的栅极与第六PMOS管MP6的栅极连接，第五PMOS管MP5的漏极分别与第五PMOS管MP5的栅极、误差放大器、反馈网络连接，所述第六PMOS管MP6的漏极分别与第五NMOS管MN5的漏极、误差放大器连接。

5.根据权利要求4所述的内嵌参考电压的LDO，其特征在于：所述误差放大器电路包括第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第三电阻器RZ、第一电容CZ和第二电容Cm；所述第七PMOS管MP7的源极、第八PMOS管MP8的源极接电源VDD，所述第七PMOS管MP7的栅极与第六PMOS管MP6的漏极连接，第八PMOS管MP8的栅极与第五PMOS管MP5的漏极连接，所述第七PMOS管MP7的漏极分别与第三电阻器RZ的一端、第六NMOS管MN6的漏极、第七NMOS管MN7的栅极连接，第一电阻器RZ的另一端分别与第一电容CZ的一端、第六NMOS管MN6的栅极连接，所述第一电容CZ的另一端、第六NMOS管MN6的源极、第七NMOS管MN7的源极接地；所述第二电容Cm的一端与第五NMOS管MN5的漏极连接，第二电容Cm的另一端作为LDO的输出端，所述第八PMOS管MN8的漏极与第七NMOS管MN7的漏极连接。

6.根据权利要求5所述的内嵌参考电压的LDO，其特征在于：所述功率驱动管包括PMOS管MP，所述反馈网络包括第二电阻器R2、第八NMOS管MN8和第四NMOS管MN4，所述PMOS管MP的源极接电源VDD， PMOS管MP的栅极与第八PMOS管MP8的漏极连接，PMOS管MP的漏极经第二电阻器R2与第八NMOS管MN8的漏极连接，第八NMOS管MN8的漏极分别与第八NMOS管MN8栅极、第四NMOS管MN4的栅极连接，第八NMOS管MN8的源极、第四NMOS管MN4的源极接地，第四NMOS管MN4的漏极与第五PMOS管MP5的漏极连接。