[发明专利]一种基于硅纳米线的太阳能电池

权利要求书

1.一种基于硅纳米线的太阳能电池，包括背电极(6)和P型硅衬底(5)， 其特征在于：P型硅衬底(5)的上表面采用硅纳米线阵列结构，该硅纳 米线阵列结构表面上依次层叠有i型层(4)、N型非晶硅层(3)和氧化 铟锡透明导电膜(2)，纳米线阵列结构的顶端设有正电极(1)，其中i 型层(4)包括依次层叠于硅纳米线阵列结构表面上的微晶硅本征层、非 晶硅锗本征层、非晶硅本征层和微晶碳化硅本征层。

2.根据权利要求1所述的基于硅纳米线的太阳能电池，其特征在于： N型非晶硅层(3)和i型层(4)的厚度均为10-50nm。

3.根据权利要求1所述的基于硅纳米线的太阳能电池，其特征在于： P型硅衬底(5)表面的硅纳米线阵列中，每根硅纳米线的直径为 40-80nm，长度为5-10μm。

4.根据权利要求1所述的基于硅纳米线的太阳能电池，其特征在于： P型硅衬底(5)厚度为200-400μm。

5.根据权利要求1所述的基于硅纳米线的太阳能电池，其特征在于： 正电极(1)采用厚度为20nm/20nm/40nm的Ti/Pd/Ag多层金属材料。

6.根据权利要求1所述的基于硅纳米线的太阳能电池，其特征在于： 背电极(6)采用厚度为70-100nm的金属铝材料。