[发明专利]声波谐振器及其制造方法

说明书

本申请要求于2015年12月18日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0181531号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

下面的描述涉及一种声波谐振器及其制造方法。

背景技术

根据通信技术的最近发展，信号处理技术和射频(RF)组件技术的相应的发展已变得理想。

例如，响应于使无线通信装置小型化的最近需求，射频组件小型化的技术已变得理想。研发为使射频组件小型化的技术的示例包括使用半导体薄膜晶圆制造的呈体声波(BAW)谐振器形式的滤波器。

体声波(BAW)谐振器指的是具有通过在硅晶圆(作为半导体基板)上沉积压电介电材料并利用压电介电材料的压电特性来产生谐振的薄膜的元件而被实现为滤波器的谐振器。

体声波(BAW)谐振器的应用包括小且轻量化的滤波器(例如，移动通信装置、化学和生物装置等)、振荡器、谐振元件、声波谐振质量传感器等。

发明内容

提供该发明内容以简化形式来介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述该构思。本发明内容无意限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也无意用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总的方面中，一种声波谐振器包括：谐振部，设置在基板上；盖子，容纳谐振部并结合到基板；结合部，将盖子和基板彼此结合，结合部包括设置在盖子的结合表面与基板的结合表面之间的至少一个阻挡块，以阻挡在结合操作的过程中形成结合部的结合材料的泄漏。

结合部可包括：第一金属层，设置在盖子的结合表面上；第二金属层，设置在基板的结合表面上；第三金属层，介于第一金属层与第二金属层之间。

第三金属层可包含锡(Sn)。

第一金属层和第二金属层可包含铜(Cu)或金(Au)。

所述至少一个阻挡块可与第一金属层和第二金属层分开预定距离。

所述至少一个阻挡块可设置在盖子的结合表面和基板的结合表面中的至少一个上。

所述至少一个阻挡块可包括设置在盖子的结合表面上的第一阻挡块和设置在基板的结合表面上的第二阻挡块。

第一阻挡块和第二阻挡块可设置在彼此不面对的位置。

第一阻挡块和第二阻挡块可设置为彼此不接触。

在另一总的方面中，一种制造声波谐振器的方法包括：在基板上形成谐振部；将盖子结合到基板，其中，盖子的结合包括在盖子的结合表面和基板的结合表面中的至少一个上设置阻挡块。

盖子的结合可包括：在盖子的结合表面上形成第一金属层，并且在基板的结合表面上形成第二金属层；在第一金属层和第二金属层之间形成第三金属层，以将盖子和基板彼此结合。

所述阻挡块可包含与第一金属层或第二金属层的材料相同的材料，并且可在同一工艺过程中与第一金属层或第二金属层一起形成。

所述阻挡块可形成在与第一金属层或第二金属层分开预定距离的位置。

第三金属层的形成可包括使第三金属层熔化并使其固化，所述阻挡块可阻挡熔化的第三金属层的泄漏。

所述阻挡块可沿着盖子的结合表面或基板的结合表面的边缘形成。

形成第三金属层的材料可具有比形成所述阻挡块的材料的熔点低的熔点。

在另一总的方面中，一种声波谐振器包括：盖子，设置在谐振部之上并结合到基板；结合部，设置在盖子的结合表面与基板之间。结合部包括沿着盖子的结合表面的边缘设置的阻挡块以及设置在结合表面上并与所述阻挡块的侧壁相邻的结合材料。

结合部可包括设置在盖子的结合表面上的第一金属层，第一金属层与所述阻挡块分开；结合材料可从第一金属层与基板之间的第一区域延伸到第一 金属层与所述阻挡块的侧壁之间的第二区域。

所述阻挡块和第一金属层可由相同的材料形成，结合材料可包括具有比形成所述阻挡块和第一金属层的材料的熔点低的熔点的材料。

其它特征和方面将从下面的具体实施方式、附图和权利要求而明显。

附图说明

图1是示意性地示出声波谐振器的示例的截面图。

图2是图1中示出的声波谐振器的A部分的放大截面图。

图3至图8是示出制造声波谐振器的方法的示例的示图。

图9是示意性地示出阻挡块的另一示例的截面图。

图10是示意性地示出声波谐振器的示例的平面图。