[发明专利]光电子半导体本体和用于制造光电子半导体本体的方法

权利要求书

1.光电子半导体本体（100），

-带有衬底（102，132，202），

-带有张紧层（104，134，160），该张紧层在第一外延步骤中被施加在所述衬底（102，132，202）上，

其中所述张紧层（104，134，160）具有至少一个垂直形成在所述张紧层中的凹部（106，110），

其中在第二外延步骤中，在所述张紧层（104，134，160）上施加了另外的层（108，136，168），该另外的层将所述至少一个凹部（106，110）填充并且至少局部地覆盖该张紧层（104，134，160），其中

-至少一个凹部（106，110）包括第一类型的凹部（106）和/或第二类型的凹部（110），

-所述第一类型的凹部（106）具有5μm至100μm的宽度，以及

-所述第二类型的凹部（110）具有0.1μm至5μm的宽度。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体本体，其中所述另外的层（108，136，168）的晶格常数与所述衬底（102，132，202）的晶格常数的偏差小于所述张紧层（104，134，160）的晶格常数与所述衬底（102，132，202）的晶格常数的偏差。

3.根据权利要求1所述的光电子半导体本体，其中，所述张紧层（104，134，160）的晶格常数小于所述衬底的晶格常数，同时所述另外的层（108，136，168）的晶格常数大于所述衬底的晶格常数。

4.根据权利要求1至3之一所述的光电子半导体本体，其中，所述张紧层（104，134，160）在所述凹部（106）中被薄化。

5.根据权利要求1至3之一所述的光电子半导体本体，其中，所述张紧层（104，134，160）在所述凹部（106）中是完全被中断的。

6.根据权利要求1至3之一所述的光电子半导体本体，其中，所述另外的层（108，136，168）完全覆盖所述张紧层（104，134，160）。

7.根据权利要求1至3之一所述的光电子半导体本体，其中，所述张紧层（104，134，160）的厚度在0.5μm和5μm之间。

8.根据权利要求7所述的光电子半导体本体，其中所述张紧层（104，134，160）的厚度在1μm和3μm之间。

9.根据权利要求1至3之一所述的光电子半导体本体，其中所述衬底（132）具有GaN并且所述张紧层是由制成的外罩层（134），其中0≤x≤0.1并且0≤y≤1。

10.根据权利要求9所述的光电子半导体本体，其中在InAlGaN外罩层（134）和具有GaN的所述衬底（132）之间施加有中间层（114）。

11.根据权利要求10所述的光电子半导体本体，其中所述中间层（114）由制成，其中0≤x≤0.5。

12.根据权利要求10所述的光电子半导体本体，其中所述中间层（114）是导电和/或压缩张紧的。

13.根据权利要求1至3之一所述的光电子半导体本体，其中所述衬底（132）具有GaN，并且所述张紧层是由和的交替层构成的布拉格镜（160），其中0≤x≤0.2，0≤y≤1。

14.根据权利要求1至3之一所述的光电子半导体本体，其中在所述第二外延步骤中生长的所述另外的层（108，136，168）具有第一导电性。

15.根据权利要求14所述的光电子半导体本体，其中第一导电性是n导电性。

16.根据权利要求14所述的光电子半导体本体，其中在生长方向上跟随在所述第二外延步骤中生长的所述另外的层（108，136，168）的是如下相继的层：

-有源区（118），

-具有第二导电性的层（120，138，162）。

17.根据权利要求16所述的光电子半导体本体，其中第二导电性是p导电性。

18.光电子器件（101），其由按照权利要求16所述的光电子半导体本体（100）分割而成。

19.根据权利要求18所述的光电子器件，其中所述张紧层（134，160）在侧向上由导电层（136，168）来过生长。