[发明专利]耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法及其装置

权利要求书

1.一种耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，其特征在于，包括下列步骤：

设置一耐高温磁性吸附组件于一载具的一第一容置空间内；

设置一芯片于该载具的一第二容置空间内；以及

以一非磁性金属掩膜覆盖该载具的该第二容置空间；

其中，该高温的温度为80℃以上。

2.如权利要求1所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，其特征在于，还包括以一挡片覆盖该第一容置空间的步骤。

3.如权利要求1所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，其特征在于，还包括根据不同工作温度范围选择不同材料的该耐高温磁性吸附组件的步骤。

4.如权利要求3所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，其特征在于，其中该步骤包括于80℃至240℃的工作温度之间，选择不同类型的钕铁硼磁铁耐的高温磁性吸附组件。

5.如权利要求3所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，其特征在于，其中该步骤包括于240℃至350℃的工作温度之间，选择不同混合比例的钐钴磁铁的耐高温磁性吸附组件。

6.如权利要求3所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，其特征在于，其中该步骤包括于大于350℃的工作温度选择铝镍钴磁铁的耐高温磁性吸附组件。

7.一种耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，其特征在于，包括：

一载具，具有一第一容置空间及一第二容置空间；

一耐高温磁性吸附组件，设置于该第一容置空间内；

一芯片，设置于该载具的该第二容置空间内；以及

一非磁性金属掩膜，覆盖该载具的该第二容置空间；

其中，该高温的温度为80℃以上。

8.如权利要求7所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，其特征在于，其中该非磁性金属掩膜具有多孔几何图形。

9.如权利要求7所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，其特征在于，其中该非磁性金属掩膜的厚度介于10μm～100μm之间。

10.如权利要求7所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，其特征在于，其中该载具的该第一容置空间周缘设置多个定位孔。

11.如权利要求10所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，其特征在于，还包括一挡片，其一侧面具有至少一定位柱，其与该多个定位孔结合以覆盖该第一容置空间。

12.如权利要求7所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，其特征在于，其中该耐高温磁性吸附组件根据不同工作温度范围选择不同材料。

13.如权利要求12所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，其特征在于，其中该耐高温磁性吸附组件于80℃至240℃的工作温度之间选择不同类型的钕铁硼磁铁。

14.如权利要求12所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，其特征在于，其中该耐高温磁性吸附组件于240℃至350℃的工作温度之间选择不同混合比例的钐钴磁铁。

15.如权利要求12所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，其特征在于，其中该耐高温磁性吸附组件于大于350℃的工作温度选择铝镍钴磁铁。

16.如权利要求7所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，其特征在于，还包括一蒸镀转盘，用于将多个该耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置重复安装于该蒸镀转盘的一球面部上，使蒸发源金属镀膜成像。