[发明专利]阵列基板、其制造方法、显示面板及显示装置在审
申请号: | 201610235147.8 | 申请日: | 2016-04-15 |
公开(公告)号: | CN105652547A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 江鹏;杨海鹏;戴珂;尹傛俊;王章涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘瑞东;李峥 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制造 方法 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及显示领域,更具体地说,涉及阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板以及显示装置。
背景技术
在液晶显示装置的液晶驱动过程中,像素电极与公共电极形成电场,液晶偏转,通过控制像素电极的信号,液晶偏转的角度不同,透过率不同,形成不同画面的显示。
在液晶驱动过程中,公共电极的理想状态是一个恒定值。然而,实际过程中,公共电极与面内栅极线和数据线之间都有交叠,会有耦合电容。由于栅极线和数据线的信号不停变化,公共电极信号会在耦合电容的作用下被拉动。公共电极被拉动后会造成残像、闪绿(Greenish)、串扰(Crosstalk)等不良,其是显示屏几大难以解决的不良。
现有技术中,主要是通过显示面板的周边公共电极线优化及电路公共电极信号补偿来解决相关不良。然而随着产品升级,产品边框越来越窄,周边公共电极线的空间被压缩,布线电阻增加,以至于电路补偿也无法改善相关不良。现有设计在显示面板内部只有横向存在金属公共电极(由栅极线金属形成),而纵向主要通过像素电极ITO(氧化铟锡)和过孔进行连接,纵向的公共电极均一性较差。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明的实施方式通过加入纵向的公共电极线,大大提升了公共电极的电阻均一性。具体地,提供了以下技术方案。
[1]一种阵列基板,包括:
栅极线,其在第一方向上延伸;
数据线,其在与所述第一方向不同的第二方向上延伸;
第一公共电极线,其在所述第一方向上延伸;
第二公共电极线,其在所述第二方向上延伸;和
公共电极,在所述第二公共电极线两侧并与其相邻的公共电极与所述第二公共电极线电连接。
上述方案[1]的阵列基板中,通过在第二方向上增加第二公共电极线,提升了公共电极的电阻均一性,改善了残像、闪绿及串扰等不良。
[2]根据上述方案[1]所述的阵列基板,其中,所述栅极线、所述第一公共电极线和所述第二公共电极线在同一层中由同一导电材料形成。
[3]根据上述方案[2]所述的阵列基板,其中,所述第一公共电极线和所述第二公共电极线直接连接。
上述方案[2]和[3]的阵列基板中,通过在同一层中,由同一导电材料形成栅极线、第一公共电极线和第二公共电极线,在提升了公共电极的电阻均一性的同时不会增加制造成本。进而,通过将第一公共电极线和第二公共电极线直接连接,形成公共电极线网络,能够进一步提升公共电极的电阻均一性。
[4]根据上述方案[1]-[3]中任一方案所述的阵列基板,其中,位于所述栅极线两侧且不与所述第二公共电极线相邻的公共电极,经由跨过所述栅极线的像素电极材料电连接。
[5]根据上述方案[1]-[4]中任一方案所述的阵列基板,其中,所述第二公共电极线两侧的像素单元呈镜像关系。
上述方案[5]的阵列基板中,通过使第二公共电极线两侧的像素单元呈镜像关系,在提升公共电极电阻均一性的同时不会影响开口率。
[6]根据上述方案[1]-[5]中任一方案所述的阵列基板,其中,在所述第二公共电极线的两侧都具有与所述栅极线连接的驱动电路。
[7]根据上述方案[6]所述的阵列基板,其中,在所述第二公共电极线为1条的情况下,所述第二公共电极线两侧的所述栅极线不连接。
[8]根据上述方案[6]所述的阵列基板,其中,在所述第二公共电极线为多条的情况下,多条第二公共电极线中的一条第二公共电极线两侧的栅极线不连接,多条第二公共电极线中的其余的第二公共电极线两侧的栅极线,经由跨过其余的第二公共电极线的像素电极材料电连接。
[9]根据上述方案[1]-[8]中任一方案所述的阵列基板,其中,仅在所述第二公共电极线的一侧具有与所述栅极线连接的驱动电路。
[10]根据上述方案[9]所述的阵列基板,其中,所述第二公共电极线两侧的栅极线,经由跨过所述第二公共电极线的像素电极材料电连接。
[11]根据上述方案[1]-[10]中任一方案所述的阵列基板,其中,所述第一方向和所述第二方向垂直。
[12]根据上述方案[1]-[11]中任一方案所述的阵列基板,其中,所述栅极线、所述第一公共电极线和所述第二公共电极线中的至少一个包括金属。
[13]根据上述方案[1]-[12]中任一方案所述的阵列基板,其中,所述公共电极和所述像素电极材料中的至少一个包括氧化铟锡。
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