[发明专利]半导体发光芯片

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光芯片，进一步涉及一种提升焊接品质和良率的半导体发光芯片。

背景技术

随着半导体发光芯片发光效率的提升和制造成本的下降，半导体发光芯片已被广泛应用于背光、显示和照明等领域。

现有的半导体发光芯片结构中，由于导电层表面与绝缘层表面不是处在同一水平面上，导致n型焊垫表面和p型焊垫表面不平坦，有深浅不同的凹陷。凹陷会影响金属引线与焊垫表面的焊接质量，特别是采用共晶焊和回流焊时，会出现空洞，导致焊接良率不高，焊接品质低下等问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，提供一种对焊垫表面平坦化，提升焊接品质和良率的半导体发光芯片。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种半导体发光芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底，在所述衬底第一表面有—至少包括n型导电层、发光层和p型导电层的半导体叠层，在所述半导体叠层表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极槽位；所述半导体发光芯片的部分或全部裸露的、具有导电性的表面和侧面被至少一绝缘层所包裹；

在所述绝缘层表面，设有至少一与n型导电层导电连接的n型焊垫、以及至少一与p型导电层导电连接的p型焊垫，所述p型焊垫和n型焊垫间彼此绝缘；

至少一所述n型导电层表面与所述n型焊垫之间设有n型金属填平层，和/或，至少一所述p型导电层表面与所述p型焊垫之间设有p型金属填平层。

优选地，对应所述n型导电层的所述绝缘层位置设有第一凹槽，所述第一凹槽位于所述n型电极槽位内，并贯通至所述n型导电层；所述n型金属填平层位于所述n型电极槽位内并填充所述第一凹槽；

对应所述p型导电层的所述绝缘层位置设有第二凹槽，所述第二凹槽贯通至所述p型导电层；所述p型金属填平层填充在所述第二凹槽内。

优选地，所述n型金属填平层包括填充在所述第一凹槽内并与所述n型导电层导电连接的第一n型金属填平层、以及填充在所述n型电极槽位内的第二n型金属填平层；

所述第二n型金属填平层位于所述第一n型金属填平层和所述n型焊垫之间，并与所述第一n型金属填平层和所述n型焊垫导电连接。

优选地，所述n型金属填平层包括金属填平层，该金属填平层设置在所述n型电极槽位内并通过所述第一凹槽与所述n型导电层导电连接。

优选地，所述n型金属填平层还包括包裹在所述金属填平层外围的中间填平层；

所述中间填平层与所述金属填平层和n型焊垫导电连接。

优选地，所述中间填平层采用铬、镍、钛、钨、铂、钼、钯中的一种或若干种金属和/或它们的合金制成。

优选地，所述p型导电层表面与所述绝缘层之间设有一p型电流扩展层；所述p型金属填平层与所述p型电流扩展层导电连接；和/或，

所述n型电极槽位底面与所述绝缘层之间设有一n型电流扩展层；所述n型金属填平层与所述n型电流扩展层导电连接。

优选地，所述p型电流扩展层包括p型导电扩展层、p型反射层、p型接触层中的一种或多种；所述n型电流扩展层包括n型导电扩展层、n型反射层、n型接触层中的一种或多种。

优选地，所述p型电流扩展层包括p型反射层，所述n型电流扩展层包括n型反射层，所述半导体发光芯片为正面和/或侧面出光；或者，所述p型电流扩展层包括p型导电扩展层、和/或p型接触层；所述n型电流扩展层包括n型导电扩展层、和/或n型接触层，所述半导体发光芯片为正面、背面和/或侧面出光。

优选地，该半导体发光芯片还包括至少一n型电极和至少一p型电极，所述n型电极和p型电极间彼此绝缘，并贯穿所述绝缘层分别与所述n型导电层和p型导电层导电连接；

所述n型电极位于所述n型电极槽位内，所述所述n型金属填平层包裹在所述n型电极外围，并与所述n型焊垫导电连接，所述n型焊垫通过所述n型金属填平层和n型电极与所述n型导电层导电连接；

所述p型金属填平层包裹在所述p型电极外围，并与所述p型焊垫导电连接，所述p型焊垫通过所述p型金属填平层和p型电极与所述p型导电层导电连接。

优选地，所述p型导电层表面与所述绝缘层之间设有一p型电流扩展层；所述p型电极与所述p型电流扩展层导电连接；和/或，

所述n型电极槽位底面与所述绝缘层之间设有一n型电流扩展层；所述n型电极与所述n型电流扩展层导电连接。