[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201610235997.8 | 申请日: | 2016-04-15 |
公开(公告)号: | CN106992193B | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 林宗澔;郭武政;林国峰;萧玉焜 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
一种图像传感器,包括一感测层、多个滤光单元、以及一格状结构。滤光单元设置于感测层上。栅格结构设置于滤光单元上,且包括多个栅格部。栅格部形成多个栅格群,且每一栅格群相互分离。
技术领域
本发明主要关于一种图像传感器,特别涉及一种于滤光单元上具有栅格结构的图像传感器。
背景技术
一般而言,数字相机利用了图像传感器来感测光线以及产生一图像信号,且依据图像信号产生数字相机所拍摄的画面。
随者数字相机的发展,对于图像信号的品质具有越来越高的要求。使用了背照式(BSI,backside illumination)技术的图像传感器可具有光导管结构以引导光线照射至光电二极管。上述背照式图像传感器具有较高的光敏度以及图像品质。
虽然目前的图像传感器符合了其使用的目的,但尚未满足许多其他方面的要求。因此,需要提供图像传感器的改进方案。
发明内容
本公开提供了一种图像传感器,改进了图像传感器所产生的图像信号的品质。
本公开提供了一种图像传感器,包括一感测层、多个滤光单元、以及一格状结构。滤光单元设置于感测层上。栅格结构设置于滤光单元上,且包括多个栅格部。栅格部形成多个栅格群,且每一栅格群相互分离。
于一些实施例中,每一栅格群包括至少25个栅格部。
于一些实施例中,图像传感器还包括一格状结构,设置于感测层上,且环绕每一滤光单元。每一栅格群对齐于滤光单元中的一者。栅格结构包括设置于滤光单元上的一基底层,且栅格部设置于基底层上。
于一些实施例中,图像传感器还包括对齐于滤光单元的多个微透镜。基底层设置于微透镜上。
于一些实施例中,滤光单元包括一第一滤光单元,且栅格群包括设置于第一滤光单元上的一第一栅格群,其中第一滤光单元与第一栅格群包括相同的材质。
于一些实施例中,滤光单元包括一第二滤光单元,且栅格群还包括设置于第二滤光单元上的一第二栅格群,其中第二滤光单元与第二栅格群包括相同的材质。
于一些实施例中,第二滤光单元与第二栅格群的材质不同于第一滤光单元与第一栅格群的材质。
综上所述,通过图像传感器的栅格结构,减少了呈现于图像传感器所产生的图像中的鬼影发生的几率,且降低了图像传感器的光交连,进而增进了图像传感器的图像品质。
附图说明
图1为根据本公开的一些实施例中的一图像传感器的示意图。
图2为根据本公开的一些实施例中的一栅格结构的仰视图。
图3为根据本公开的一些实施例中的栅格结构的剖视图。
图4为根据本公开的一些实施例中的栅格结构的部分的仰视图。
图5为根据本公开的一些实施例中的一图像传感器的示意图。
图6为为根据本公开的一些实施例中的一图像传感器的示意图。
附图标记说明:
图像传感器1
感测层10
基材11
感测单元111
抗反射层12
介电层13
遮蔽元件14
滤光单元20、20a、20b、20c
微透镜30
格状结构40
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的