[发明专利]一种包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体及制作方法

权利要求书

1.一种包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体，所述器件单元体包括衬底（1）、绝缘氧化层（2）、第一金属层（3）、第一二氧化硅层（4）、第一氮化硅层（5）、聚酰亚胺（6）、第二金属层（7）、第二二氧化硅层（8）和第二氮化硅层（9），其特征在于：所述绝缘氧化层（2）位于衬底（1）上且邻接，所述第一金属层（3）有两个，分别位于器件单元体两端且覆盖在绝缘氧化层（2）上，所述第一二氧化硅层（4）和第一氮化硅层（5）依次覆盖在绝缘氧化层（2）和部分第一金属层（3）表面，所述聚酰亚胺（6）覆盖在第一氮化硅层（5）表面且分立于器件单元体两侧，所述第二二氧化硅层（8）和第二氮化硅层（9）依次覆盖在聚酰亚胺（6）表面，所述第二金属层（7）有两个，分别位于器件单元体两端，左端的第二金属层（7）覆盖在第二氮化硅层（9）上，右端的第一金属层（3）上设有金属接触孔，右端的第二金属层（7）填充在金属接触孔内。

2.根据权利要求1所述包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体，其特征在于：所述绝缘氧化层（2）的厚度在100nm ~ 1000nm之间。

3.根据权利要求1所述包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体，其特征在于：所述第一金属层（3）和第二金属层（7）均为铜，且厚度均为2 ~ 4μm。

4.根据权利要求1所述包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体，其特征在于：所述第一二氧化硅层（4）和第二二氧化硅层（8）的厚度均为40nm ± 4nm。

5.根据权利要求1所述包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体，其特征在于：所述第一氮化硅层（5）和第二氮化硅层（9）的厚度均为150 nm ± 4nm。

6.一种包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体的制作方法，其特征是，所述器件单元体的制作方法包括如下步骤：

步骤一. 提供一衬底（1），在所述衬底（1）上生长氧化层，得到绝缘氧化层（2）；

步骤二.在所述绝缘氧化层（2）的表面生长铜膜，通过光刻版遮挡，在铜膜上进行刻蚀得到第一金属层（3）；

步骤三. 在所述第一金属层（3）的表面依次淀积第一二氧化硅层（4）和第一氮化硅层（5）；

步骤四. 在所述第一氮化硅层（5）上旋涂聚酰亚胺液，经过固化，显影图形得到聚酰亚胺（6）；

步骤五. 在所述聚酰亚胺（6）的表面依次淀积第二二氧化硅层（8）和第二氮化硅层（9）；

步骤六. 通过光刻版遮挡，在右端的第一金属层（3）上面进行刻蚀形成接触孔；

步骤七. 在所述接触孔内和第二氮化硅层（9）表面生长铜膜，通过光刻版遮挡，在铜膜上进行刻蚀得到第二金属层（7）。

7.根据权利要求6所述包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体的制作方法，其特征是，所述铜膜的形成过程是先溅射形成铜子晶，然后沿着子晶的方向通过电镀生长铜膜，最终形成铜膜。

8.根据权利要求6所述包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体的制作方法，其特征是，所述聚酰亚胺（6）固化过程中的固化温度为400 ± 40度。