[发明专利]一种高光吸收的超薄钙钛矿光电转换膜结构在审
申请号: | 201610236586.0 | 申请日: | 2016-04-15 |
公开(公告)号: | CN105762282A | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 孙鹏;陈鑫;张天宁;魏威;戴宁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光吸收 超薄 钙钛矿 光电 转换 膜结构 | ||
技术领域
本发明涉及光伏电池及结构,特别是一种高光吸收的超薄钙钛矿光电转换膜结构。
背景技术
随着材料与器件技术的迅速发展,钙钛矿型太阳电池的光电转换效率在几年内就超过了20%,发展速度前所未有。当前,研究人员仍努力在吸收层中引入掺杂材料,或优化电池结构,寻找效率的提升新途径。
近年来,利用等效介质理论的人工亚波长结构形成的超材料完美吸收体已经受到广泛关注,并在能量收集、非线性光学、传感器等领域展现了显著的作用和应用的巨大潜力。在可见到近红外波段,等离激元耦合实现超高光吸收,且激发耦合模式具有很强的局域性质,能将入射光能量局域在金属纳米颗粒与金属层之间。相对于有序超材料结构,无序结构具有更好的可塑性和更广泛的应用。通过无序结构构造的超材料吸收体可以把可见光至红外光都能够被结构体系捕获并限制,从而实现超高的光吸收。当把一层金属纳米颗粒层插入导电衬底和致密氧化物膜之间,也能通过金属纳米颗粒与电极层之间的等离基元耦合效应将可见光至红外部分光局域在氧化物薄膜中,提升光吸收效果。然而,如何把这种结构应用于钙钛矿材料结构光电转换膜结构,提升钙钛矿薄膜结构对光的吸收效果和电流密度具是当前超薄钙钛矿光电转换膜结构发展的关键技术之一。
发明内容
本发明提出一种高光吸收的超薄钙钛矿光电转换膜结构,首先是在透明的导电衬底上先沉积一层金属纳米粒子层,然后再沉积一层致密氧化物层,然后再沉积一层超薄结构的杂化钙钛矿材料,最后沉积复合电极层或金属电极层。
一种高光吸收的超薄钙钛矿光电转换膜结构,其结构为在自透明导电衬底上依次有金属纳米颗粒层、氧化物致密层、超薄钙钛矿膜层、电极层.
所述的透明导电衬底为掺氟二氧化锡、掺铟二氧化锡、掺铝氧化锌导电玻璃或导电聚酰亚胺膜;
所述的金属纳米颗粒层为粒径1-200纳米的金、银、铜或铝的纳米颗粒层;
所述的氧化物致密层为2-50纳米厚的氧化钛、氧化锌或氧化锆氧化物致密层,或者为氧化钛、氧化锌两种氧化物组成的致密层;
所述的超薄钙钛矿膜层为10-100纳米厚的超薄CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl3或CH3NH3SnI3薄膜层,或者为CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3SnI3三种材料中的任意两种组成的薄膜层;
所述的电极层为80-200纳米厚的金、银、钛、铝或碳电极层,或者为与聚噻吩或富勒烯衍生物构成80-200纳米厚的复合电极层。
本发明提出了在透明导电衬底与致密氧化物薄膜中间引入一层金属纳米颗粒层,解决超薄钙钛矿光电转换膜结构的技术难题。本发明的优点在于薄膜厚度可控,工艺简单,提升了钙钛矿薄膜结构对光的吸收效果和电流密度、大面积的超薄钙钛矿光电转换器件,在低成本高效太阳电池领域有着广阔的应用前景。
附图说明
图1结构示意图
具体实施方式
实施例1:
在掺氟二氧化锡透明导电衬底先用氩离子束溅射法制备颗粒尺寸约50纳米的金纳米颗粒层,再用气相方法在基底上生长一层50纳米的氧化钛致密层;接着用双源共蒸的气相法沉积100纳米的超薄CH3NH3PbI3组成的钙钛矿层,最后沉积膜厚为80纳米的金组成的电极层;获得的光电转换结构的开路电压为1.02V,电流密度为15.39mA/cm2。
实施例2:
在掺铟二氧化锡透明导电衬底先用旋涂法制备颗粒尺寸约1纳米的银纳米颗粒层,再用气相法在基底上生长一层10纳米的氧化锌致密层;接着用双源共蒸的气相法沉积10纳米的超薄CH3NH3PbCl3组成的钙钛矿层,最后沉积膜厚为60纳米的聚噻吩与140纳米的金组成200纳米的复合电极,获得光电转换结构的开路电压为0.73V,电流密度10.15mA/cm2。
实施例3:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610236586.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择