[发明专利]光刻设备的微粒检测方法

说明书

本发明揭示了一种光刻设备的微粒检测方法。本发明的光刻设备的微粒检测方法包括：提供晶圆；传递所述晶圆至所述光刻设备中，并通过光刻工艺在所述晶圆上形成微粒采集结构；对所述晶圆进行旋转冲洗，使得微粒聚集在所述微粒采集结构的边缘；刻蚀所述晶圆的部分厚度，在微粒处进行倾斜刻蚀，使得所述微粒下方产生锥状突起；检测所述晶圆。与现有技术相比，本发明在刻蚀后，形成了锥状突起，从而使得检测设备能够检测到，达到了发现光刻设备中粒径小于检测设备极限的微粒，防止了这些微粒对产品的影响，有利于提高产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光刻设备的微粒检测方法。

背景技术

在半导体加工制造过程中，每片晶圆需要经过许多的工艺步骤，会涉及到许多设备，如若设备中存在微粒(particle)，就很容易沾染到晶圆上，从而产生不良的影响。

例如，光刻设备很容易受到环境因素、反应物质的影响而产生微粒。为了避免这些微粒可能带来的影响定期的检测、清洗成为了预防微粒对产品产生影响的一种常规方法。

现有技术中进行微粒的检测通常是采用干净的晶圆(控片)，使之在光刻设备中传递，完成正常加工时的传递流程，然后检测该晶圆上是否产生缺陷，若缺陷情况超过了容忍度，就表面设备中微粒超标，需要清洗。

但是，任何检测设备都是有着一定的精度的，对于粒径小于其极限尺寸的微粒而言，检测设备基本上是发现不了。虽然这些较小粒径的微粒在一般工艺过程中是不会产生影响，但是，随着半导体制造能力的提升，工艺要求的提高，这些较小粒径的微粒在后续制作过程中会诱发其他的缺陷，从而会影响到产品的良率。

然而这些微粒因为无法及时发现，因此，即便在后期发现缺陷并分析出原因，造成的影响也是不可逆的。于是，目前亟需一种微粒检测方法，能够及时发现光刻设备中的较小粒径的微粒。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光刻设备的微粒检测方法，以便能够发现光刻设备中粒径小于检测设备极限的微粒。

为解决上述技术问题，本发明提供一种光刻设备的微粒检测方法，包括：

提供晶圆；

传递所述晶圆至所述光刻设备中，并通过光刻工艺在所述晶圆上形成微粒采集结构；

对所述晶圆进行旋转冲洗，使得微粒聚集在所述微粒采集结构的边缘；

刻蚀所述晶圆的部分厚度，在微粒处进行倾斜刻蚀，使得所述微粒下方产生锥状突起；

检测所述晶圆。

可选的，对于所述的光刻设备的微粒检测方法，在所述晶圆上形成多个微粒采集结构包括：

在所述晶圆上涂敷光阻；

利用光刻工艺形成多个第一光阻条和多个第二光阻条，所述第一光阻条和第二光阻条相交形成多个光阻框。

可选的，对于所述的光刻设备的微粒检测方法，所述第一光阻条和第二光阻条相互垂直，所述光阻框呈矩形。

可选的，对于所述的光刻设备的微粒检测方法，所述光阻框的内边长为20mm-25mm。

可选的，对于所述的光刻设备的微粒检测方法，所述第一光阻条和第二光阻条的宽度为10μm-15μm。

可选的，对于所述的光刻设备的微粒检测方法，所述光阻的厚度为

可选的，对于所述的光刻设备的微粒检测方法，采用去离子水对所述晶圆进行旋转冲洗。

可选的，对于所述的光刻设备的微粒检测方法，进行旋转冲洗时转速为1500rpm-2000rpm，冲洗时间为45s-60s。