[发明专利]一种无铅钙钛矿薄膜、其制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 201610238703.7 申请日: 2016-04-18
公开(公告)号: CN105679936A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 范建东;沈艳娇;刘冲;张星;李红亮;陈荣荣;麦耀华 申请(专利权)人: 河北大学
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 代理人: 胡素梅;白海静
地址: 071002 河北省保*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 无铅钙钛矿 薄膜 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种无铅钙钛矿薄膜,其特征是,所述无铅钙钛矿薄膜的化学通式为CH3NH3SnX3;其中,X为Cl、Br或I。

2.一种无铅钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,包括如下步骤:

a、称取SnX2和CH3NH3X,X为Cl、Br或I;

b、将所称取的SnX2和CH3NH3X作为两个蒸发源放入共蒸发设备的腔室内,同时在共蒸发设备的腔室内设置基片;

c、对共蒸发设备的腔室进行抽真空;

d、对SnX2蒸发源进行加热,使SnX2蒸发并沉积在基片上;之后停止对SnX2蒸发源进行加热,继而对CH3NH3X蒸发源加热,使CH3NH3X蒸发并沉积在基片上,完成SnX2和CH3NH3X交替蒸发的一个循环;

e、重复步骤d,完成SnX2和CH3NH3X交替蒸发的第二个循环;

f、取出基片,并对其进行退火处理,退火完成后即制成无铅钙钛矿薄膜CH3NH3SnX3

3.根据权利要求2所述的无铅钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,步骤f中退火温度为100℃~160℃,退火时间为20min~40min。

4.根据权利要求3所述的无铅钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,步骤f中退火温度为160℃,退火时间为30min。

5.根据权利要求2所述的无铅钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,步骤f中所形成的无铅钙钛矿薄膜CH3NH3SnX3的厚度为280nm~450nm。

6.根据权利要求2所述的无铅钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,步骤c中对共蒸发设备的腔室抽真空至5×10-5Pa~30×10-5Pa。

7.一种钙钛矿太阳能电池,其特征是,所述钙钛矿太阳能电池中的钙钛矿薄膜为无铅钙钛矿薄膜,所述无铅钙钛矿薄膜的化学通式为CH3NH3SnX3;其中,X为Cl、Br或I。

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