[发明专利]一种无铅钙钛矿薄膜、其制备方法及应用在审
申请号: | 201610238703.7 | 申请日: | 2016-04-18 |
公开(公告)号: | CN105679936A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 范建东;沈艳娇;刘冲;张星;李红亮;陈荣荣;麦耀华 | 申请(专利权)人: | 河北大学 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/42;H01L51/46 |
代理公司: | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人: | 胡素梅;白海静 |
地址: | 071002 河北省保*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无铅钙钛矿 薄膜 制备 方法 应用 | ||
1.一种无铅钙钛矿薄膜,其特征是,所述无铅钙钛矿薄膜的化学通式为CH3NH3SnX3;其中,X为Cl、Br或I。
2.一种无铅钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,包括如下步骤:
a、称取SnX2和CH3NH3X,X为Cl、Br或I;
b、将所称取的SnX2和CH3NH3X作为两个蒸发源放入共蒸发设备的腔室内,同时在共蒸发设备的腔室内设置基片;
c、对共蒸发设备的腔室进行抽真空;
d、对SnX2蒸发源进行加热,使SnX2蒸发并沉积在基片上;之后停止对SnX2蒸发源进行加热,继而对CH3NH3X蒸发源加热,使CH3NH3X蒸发并沉积在基片上,完成SnX2和CH3NH3X交替蒸发的一个循环;
e、重复步骤d,完成SnX2和CH3NH3X交替蒸发的第二个循环;
f、取出基片,并对其进行退火处理,退火完成后即制成无铅钙钛矿薄膜CH3NH3SnX3。
3.根据权利要求2所述的无铅钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,步骤f中退火温度为100℃~160℃,退火时间为20min~40min。
4.根据权利要求3所述的无铅钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,步骤f中退火温度为160℃,退火时间为30min。
5.根据权利要求2所述的无铅钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,步骤f中所形成的无铅钙钛矿薄膜CH3NH3SnX3的厚度为280nm~450nm。
6.根据权利要求2所述的无铅钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,步骤c中对共蒸发设备的腔室抽真空至5×10-5Pa~30×10-5Pa。
7.一种钙钛矿太阳能电池,其特征是,所述钙钛矿太阳能电池中的钙钛矿薄膜为无铅钙钛矿薄膜,所述无铅钙钛矿薄膜的化学通式为CH3NH3SnX3;其中,X为Cl、Br或I。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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