[发明专利]储存器电路以及储存器电路的预充电方法有效

专利信息
申请号: 201610239879.4 申请日: 2016-04-18
公开(公告)号: CN107305778B 公开(公告)日: 2020-05-01
发明(设计)人: 梁志玮 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 郭晓宇
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 储存器 电路 以及 充电 方法
【说明书】:

发明提供一种储存器电路以及储存器电路的预充电方法,该储存器电路包括一第一储存库,通过一第一数据线连接一第一传感放大器;一第二储存库,通过一第二数据线连接一第二传感放大器;一第一开关元件,该第一开关元件的一端连接该第一数据线,且该第一开关元件的另一端连接该第二数据线;以及一控制电路,连接该第一开关元件的控制端,控制该第一开关元件的导通以及断开。该预充电方法包括设置第一开关元件,该第一开关元件的一端连接该第一数据线,且该第一开关元件的另一端连接该第二数据线;当该第一储存库执行读取或写入的预充电动作,且该第二储存库操作于闲置状态时,将该开关元件导通。

技术领域

本发明有关储存器电路,特别有关储存器电路在读取、写入时预充电的电路以及方法。

背景技术

现今储存器电路对操作速度的要求越来越高,在储存器电路内部的各种动作所耗费的时间当中,储存器电路在读取或写入后预充电(pre-charge)的时间是重要的设计参数。一般储存器电路在做读取或写入的操作时,需要先把读取或写入所使用的数据线预充到高电压位准,例如,当储存器电路在执行完写入动作后,接下来就是将写入所使用的数据线预充到高电压位准,再执行下一个读取或写入的动作。

而在一些情况下,若上述预充电的动作没有正确的执行,则在下一个读取的动作执行时,有可能造成读取出来的数据不正确;或者当上述储存器电路在处理连续读取的动作时,因为预充电的动作没有正确的执行,造成所使用的数据线的电压位准越来越低,导致连接上述数据线的上述储存器电路的传感放大器发生误动作。

发明内容

有鉴于此,本发明提供一种储存器电路以及储存器电路的预充电方法,以加强储存器电路的预充电电路的性能,进而避免上述预充电的动作没有被正确的执行。

依据本发明的一实施例,提供一种储存器电路,包括一第一储存库(memorybank),通过一第一数据线连接一第一传感放大器;一第二储存库,通过一第二数据线连接一第二传感放大器;一第一开关元件,该第一开关元件的一端连接该第一数据线,且该第一开关元件的另一端连接该第二数据线;以及一控制电路,连接该第一开关元件的控制端,控制该第一开关元件的导通以及断开,其中在该储存器电路对该第一储存库执行读取或写入的预充电动作且该第二储存库操作于闲置状态时,该控制电路将该第一开关元件导通。

依据本发明的另一实施例,提供一种储存器电路的预充电方法,该储存器电路的一第一储存库通过一第一数据线连接一第一传感放大器,而该储存器电路的一第二储存库,通过一第二数据线连接一第二传感放大器,该方法包括设置一第一开关元件,该第一开关元件的一端连接该第一数据线,且该第一开关元件的另一端连接该第二数据线;以及当该第一储存库执行读取或写入的预充电动作,且该第二储存库操作于闲置状态时,将该第一开关元件导通。

本发明的有益效果在于,当储存库操作在闲置状态,而储存库欲执行预充电的动作时,控制电路除了将开关元件导通以执行预充电的动作之外,本发明实施例装置更可以提供额外的预充电路径,藉以提供比常用技术更为快速的预充电速度,从而保证预充电的正确执行,减少读取出数据不正确的可能性。

附图说明

图1A是依据本发明一实施例的储存器电路区块的示意图。

图1B是依据本发明一实施例的储存器电路区块的示意图。

图2A是依据本发明一实施例的储存器电路区块的示意图。

图2B是依据本发明一实施例的储存器电路的预充电时序图。

附图标号:

100A、100B、200 储存器电路

101、102、201、202 储存库

1011、1012、2011、2013、2012、2014 数据线

103B 共用传感放大器

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