[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201610240602.3 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107305847A | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/329;H01L29/78;H01L29/872;H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面包含至少一个硅区域；
在所述硅区域的表面上形成金属层；
进行第一退火工艺，以使所述金属层中的金属与所述硅区域中的硅反应，形成第一金属硅化物；
去除未反应的剩余的所述金属层；
对所述第一金属硅化物进行氮化处理以及第二退火工艺，以形成掺杂氮元素的第二金属硅化物。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在进行所述第二退火工艺的同时通入氨气以实现所述氮化处理。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，首先对所述第一金属硅化物进行所述氮化处理，再进行所述第二退火工艺。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述氮化处理为采用含氮等离子体氮化处理的方法。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述含氮等离子体是通过处理气体的紫外辐射诱导解离而形成，或者，是通过所述处理气体的微波诱导等离子体解离而形成，或者是通过所述处理气体的等离子体诱导解离而形成，其中，所述处理气体包括至少一种含氮气体。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述含氮气体选用氮气或者氨气或两者组合。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第二退火工艺选用均温退火、尖峰退火、毫秒退火或者微波退火。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二退火工艺的温度范围为500～1300℃。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料包括Ti或依次层叠的Ti/TiN。
10.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底的表面包含至少一个硅区域，在所述硅区域的表面上形成有掺杂氮元素的金属硅化物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
