[发明专利]半导体发光结构有效
| 申请号： | 201610240638.1 | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN105742439B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李君圣;吴国祯;温伟值 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 结构 | ||
1.一种半导体发光结构，其特征在于其包括：
基板；
第一掺杂态半导体层，配置于所述基板上；
发光层，配置于所述第一掺杂态半导体层上；
第二掺杂态半导体层，配置于所述发光层上；
第一导体，配置于所述第一掺杂态半导体层上，并包含一电极用以连接外部电源，以及
彼此分离的多个接面，由所述第一导体与所述第一掺杂态半导体层接触所形成；
其中，所述多个接面之面积随着远离所述电极而增加。
2.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述基板为不导电基板。
3.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一导体的配置图案包括线型、网状型或点状型的分布图案。
4.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述电极体积大于其他所述第一导体。
5.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一掺杂态半导体层包括平台部及下陷部，所述发光层及所述第二掺杂态半导体层配置于所述平台部上，且所述第一导体配置于所述下陷部上。
6.根据权利要求5所述的半导体发光结构，其特征在于还包括透明材料层配置于所述下陷部上。
7.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于其还包括：
透明材料层，配置于所述第二掺杂态半导体层上，其中所述透明材料层与所述第二掺杂态半导体层之间形成第一接面；以及
第二导体，连接至所述第二掺杂态半导体层，其中所述第二导体与所述第二掺杂态半导体层之间形成第二接面，且所述第二接面的电阻值大于所述第一接面的电阻值。
8.根据权利要求7所述的半导体发光结构，其特征在于，所述透明材料层为一电传导层。
9.一种半导体发光结构，其特征在于其包括：
基板；
N型半导体层，配置于所述基板上；
发光层，配置于所述N型半导体层上；
P型半导体层，配置于所述发光层上；
一电极，用以连接外部电源；以及
至少一第一导体，配置于所述N型半导体层上与所述N型半导体层连接，
其中，所述第一导体与所述N型半导体层之间包括彼此分离的多个接面，所述多个接面之面积随着远离所述电极而增加。
10.根据权利要求9所述的半导体发光结构，还包括透明材料层配置于所述N型半导体层上。
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