[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610240785.9 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107304037B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 刘尧;陈福成;施林波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆上形成有第一接合材料层，所述第一接合材料层包括第一金属层；
步骤S2：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有第二接合材料层，所述第二接合材料层包括依次形成的第一金属层和第二金属层；
步骤S3：将所述顶部晶圆和所述底部晶圆对准，以使所述第二接合材料层中的所述第二金属层对准所述第一接合材料层中的所述第一金属层；
步骤S4：将所述顶部晶圆和所述底部晶圆加热至所述第一金属层和所述第二金属层形成的合金的熔点以下；
步骤S5：将所述第二接合材料层中的所述第二金属层与所述第一接合材料层中的所述第一金属层接触，并且仅继续加热所述顶部晶圆至所述合金的熔点以上，以在键合界面处形成合金生成区域并使所述顶部晶圆和所述底部晶圆接合，以避免合金金属溢出。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，加热所述顶部晶圆的同时在所述顶部晶圆上施加键合力，以使所述顶部晶圆和所述底部晶圆键合。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述键合力为8-12kN。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1和所述步骤S2中还分别包括对所述顶部晶圆和所述底部晶圆进行清洗的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中还进一步包括将用于所述键合的键合腔室抽真空的步骤。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，继续加热所述顶部晶圆至所述合金的熔点以上，所述底部晶圆温度维持不变。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层选用Al；
所述第二金属层选用Ge。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中将所述顶部晶圆和所述底部晶圆加热至420℃或以下；
在所述步骤S5中继续加热所述顶部晶圆至430℃或以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610240785.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
