[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法和电子装置。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，在传感器(motion sensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。

其中，微电子机械系统(MEMS)在体积、功耗、重量以及价格方面具有十分明显的优势，至今已经开发出多种不同的传感器，例如压力传感器、加速度传感器、惯性传感器以及其他的传感器。

在所述MEMS器件制备过程中，有一部分MEMS器件，需要将图案化的底部晶圆和顶部晶圆接合并进行减薄(Thinning)的工艺，当顶部晶圆(Top Wafer)减薄之后，然后对顶部晶圆图案化，在图案化过程引起顶部晶圆Si脱落(Peeling)缺损的现象。

因此需要对目前MEMS器件的制作方法作进一步的改进，以便消除上述各种弊端。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供了一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：

提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有器件图案；

提供顶部晶圆，并将所述顶部晶圆与所述底部晶圆相接合；

图案化所述顶部晶圆，以在所述顶部晶圆上形成切割线通道，以释放所述顶部晶圆中的应力。

可选地，所述方法还包括进一步图案化所述顶部晶圆，以在所述顶部晶圆中形成目标图案。

可选地，在所述底部晶圆的正面形成有若干相互间隔的凹槽，并且在所述凹槽的表面形成有氧化物层。

可选地，所述切割线通道位于所述底部晶圆中凹槽间隔的上方。

可选地，所述顶部晶圆包括绝缘体上硅。

可选地，在所述顶部晶圆接合之后形成所述切割线通道之前，还进一步包括研磨薄化所述顶部晶圆至所述绝缘体上硅中的绝缘埋层的步骤。

可选地，所述方法还进一步包括去除所述绝缘埋层的步骤。

可选地，在所述顶部晶圆上形成所述切割线通道的方法包括：

在所述顶部晶圆上形成图案化的掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜通过深反应离子刻蚀的方法蚀刻所述顶部晶圆，以形成所述切割线通道，露出所述底部晶圆。

本发明还提供了一种半导体器件，所述半导体器件通过权利要求1至8之一所述方法制备得到。

本发明还提供了一种电子装置，包括上述的半导体器件。

本发明再一方面提供一种电子装置，包括前述的半导体器件。

本发明提供了一种半导体器件的制作方法，在所述方法中在将底部晶圆和所述顶部晶圆相接合以后，图案化所述顶部晶圆以在所述顶部晶圆上形成切割线通道，以释放所述顶部晶圆接合中形成的应力。在释放所述应力之后很好的解决了目前工艺中顶部晶圆容易脱落的问题。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1示出了根据本发明一实施方式的半导体器件的制作方法的步骤流程图；

图2a-2f示出了现有的一种半导体器件结构的剖面示意图；

图3示出了根据本发明一实施方式的电子装置的示意图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。