[发明专利]电子-可编程磁性转移模块和电子元件的转移方法

权利要求书

1.一种电子元件的转移方法，包括：

(a)于一第一基板上形成多个阵列排列的电子元件，各该电子元件包括一磁性部；

(b)通过一电子-可编程磁性转移模块所产生的一磁力，选择性地从该第一基板拾起部分该些电子元件；以及

(c)将被该电子-可编程磁性转移模块所拾起的部分该些电子元件转移至一第二基板上，

其中该电子-可编程磁性转移模块包括多个电磁线圈，且各该电磁线圈是单独地被控制。

2.如权利要求1所述的电子元件的转移方法，还包括：

重复步骤(a)至步骤(c)至少一次，使形成于不同第一基板上的电子元件转移至该第二基板上。

3.如权利要求1所述的电子元件的转移方法，其中于该第一基板上形成该些电子元件的制造方法包括：

形成一光电半导体层于一成长基板上；

形成多个电极于该光电半导体层上；

通过一粘着剂接合该光电半导体层和该第一基板，其中该粘着剂粘合该些电极和该光电半导体层，且该粘着剂是介于该光电半导体层和该第一基板之间；

移除该成长基板以暴露该光电半导体层的一表面；

形成一牺牲层于该光电半导体层的该表面上；

形成该磁性部于该牺牲层上；

图案化该光电半导体层、该粘着剂和该牺牲层，以形成该些电子元件、多个位于该些电子元件上的牺牲层图案以及多个介于该些电子元件和该第一基板之间的粘着剂图案；

形成一支撑层于该第一基板上，其中该支撑层位于该些电子元件之间且连接该些电子元件，该支撑层使各该粘着剂图案曝露；以及

移除该些粘着剂图案，以形成一间距于各该电子元件和该第一基板之间。

4.如权利要求3所述的电子元件的转移方法，还包括：

于移除该成长基板之后且于形成该牺牲层之前，薄化该光电半导体层。

5.如权利要求3所述的电子元件的转移方法，还包括：

移除位于已被转移至该第二基板上的该些电子元件上的该些牺牲层图案。

6.如权利要求1所述的电子元件的转移方法，其中于该第一基板上形成该些电子元件的制造方法包括：

形成一光电半导体层于一成长基板上；

形成多个电极于该光电半导体层上；

通过一粘着剂接合该光电半导体层和该第一基板，其中该粘着剂粘合该些电极和该光电半导体层，且该粘着剂是介于该光电半导体层和该第一基板之间；

从该光电半导体层移除该成长基板；

图案化该光电半导体层和该粘着剂以形成该些电子元件以及多个位于该些电子元件之下的粘着剂图案；

形成一支撑层于该第一基板上，其中该支撑层位于该些电子元件之间且连接该些电子元件，该支撑层使各该粘着剂图案曝露；以及

移除该些粘着剂图案，以形成一间距于各该电子元件和该第一基板之间。

7.如权利要求6所述的电子元件的转移方法，还包括：

于移除该成长基板之后且于图案化该光电半导体层之前，薄化该光电半导体层。

8.如权利要求1所述的电子元件的转移方法，其中该电子-可编程磁性转移模块包括：

微机电系统(MEMS)芯片，包括该些电磁线圈；以及

接合设备，其中该微机电系统芯片组装于该接合设备上并且被该接合设备所搭载。

9.如权利要求1所述的电子元件的转移方法，还包括：

于该电子-可编程磁性转移模块所拾起的该些电子元件被转移至该第二基板的期间，对该些电子元件进行一即时测试。

10.如权利要求9所述的电子元件的转移方法，还包括：

当该即时测试检查到至少一失效电子元件时，将该失效电子元件与该第二基板分离，并记录该失效电子元件的一位置资讯；以及

依据该位置资讯，通过该电子-可编程磁性转移模块拾起并且转移位于该第一基板上的至少一剩余电子元件至该第二基板上。