[发明专利]一种超宽带巴伦有效
| 申请号： | 201610242536.3 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN105762475A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 戴永胜;陈相治 | 申请（专利权）人： | 戴永胜;陈相治 |
| 主分类号： | H01P5/10 | 分类号： | H01P5/10 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 210094 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 | ||
1.一种超宽带巴伦，其特征在于：它包括移相电路P-S、输入端口P1、微带-共面波导转换电路C-M1、第一输出端口P2、共面波导-微带转换电路C-M2、第二输出端口P3、共面波导-微带转换电路C-M3和缺陷地结构DGS；
缺陷地结构DGS位于移相电路P-S、输入端口微带-共面波导转换电路C-M1、第一输出端口共面波导-微带转换电路C-M2和第二输出端口共面波导-微带转换电路C-M3的正下方；第一输出端口P2和第二输出端口P3设于移相电路P-S的左右两边，输入端口P1设于所述移相电路P-S的后面；
移相电路P-S包括Y形传输线L1，倒L形传输线L2和倒L形传输线L3，倒L形传输线L2位于Y形传输线L1的左边，倒L形传输线L3位于Y形传输线L1的右边；
微带-共面波导转换电路包括主传输线L4、第一接地线L5、第二接地线L6和第一接地金属柱Via1，第一接地线L5位于主传输线L4左边，第二接地线L6位于主传输线L4右边，第一接地金属柱Via1均匀分布在第一接地线L5和第二接地线L6的下方，第一接地线L5和第二接地线L6均通过各自下方的第一接地金属柱Via1连接地线；
共面波导-微带转换电路C-M2包括第一输出传输线L7、第三接地线L8和第二接地金属柱Via2，第一输出传输线L7位于第三接地线L8的前方，第二接地金属柱Via2均匀分布在第三接地线L8的正下方，第三接地线L8通过第二接地金属柱Via2连接地线；
共面波导-微带转换电路C-M3包括第二输出传输线L10、第四接地线L9和第三接地金属柱Via3，第二输出传输线L10位于第四接地线L9的后方，第三接地金属柱Via3均匀分布在第四接地线L9的正下方，第四接地线L9通过第三接地金属柱Via3连接地线；
输入端口P1连接微带-共面波导转换电路C-M1的输入端，微带-共面波导转换电路C-M1的输出端通过节点Node1、节点Node2和节点Node3与移相电路P-S连接，移相电路P-S通过节点Node4和节点Node5与共面波导-微带转换电路C-M2的输入端连接，共面波导-微带转换电路C-M2的输出端连接第一输出端口P2，移相电路P-S通过节点Node6和节点Node7与共面波导-微带转换电路C-M3的输入端连接，共面波导-微带转换电路C-M3的输出端连接第二输出端口P3；
缺陷地结构DGS位于移相电路P-S、输入端口微带-共面波导转换电路C-M1、第一输出端口共面波导-微带转换电路C-M2和第二输出端口共面波导-微带转换电路C-M3的正下方。
2.如权利要求1所述的一种超宽带巴伦，其特征在于：包括一种超宽带巴伦采用低温共烧陶瓷制成。
3.如权利要求1所述的一种超宽带巴伦，其特征在于：所述缺陷地结构DGS包含金属地线区域Ground和不接地线的空白区域Defect，所述金属地线区域Ground为矩形金属地线，所述不接地线的空白区域Defect设于所述金属地线区域Ground内。
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