[发明专利]一种QLED封装结构以及QLED的封装方法

权利要求书

1.一种QLED封装结构，所述QLED封装结构包括QLED，所述QLED包括依次层叠设置的底电极、发光功能层和顶电极，其特征在于，所述顶电极上设置有由聚合物材料制成的封装层，所述聚合物材料包括PMMA、PVC中的至少一种，且所述封装层露出部分所述顶电极。

2.如权利要求1所述的QLED封装结构，其特征在于，所述封装层为纳米尺寸的封装层。

3.一种QLED的封装方法，包括以下步骤：

提供QLED并配置聚合物溶液，其中，所述QLED包括依次层叠设置的底电极、发光功能层和顶电极，所述聚合物溶液采用聚合物材料溶解在有机溶剂中形成，且聚合物材料包括PMMA、PVC中的至少一种；

采用所述聚合物溶液在所述顶电极上制备封装层，且使得所述封装层露出部分所述顶电极。

4.如权利要求3所述的QLED的封装方法，其特征在于，所述聚合物溶液中所述聚合物材料的浓度为1-100mg/mL。

5.如权利要求3所述的QLED的封装方法，其特征在于，所述有机溶剂为丙酮、四氢呋喃、甲苯、氯仿、乙醇中的至少一种。

6.如权利要求3-5任一所述的QLED的封装方法，其特征在于，制备所述封装层的方法包括旋涂、滴涂、浸蘸。

7.如权利要求3-5任一所述的QLED的封装方法，其特征在于，将所述聚合物溶液旋涂在所述顶电极上制备封装层，且所述旋涂的转速为100-6000rpm。