[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，更为具体的说，涉及一种太阳能电池及其制作方法。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种清洁、普遍和潜力高的替代能源。太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且太阳能是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源，并受到了广泛的关注。

背电场作为太阳能电池的主要结构之一，其作用是在太阳能电池背面形成P/P+的高低结结构，阻止P区光生电子到其背面的复合，降低其背表面复合速率。现有的太阳能电池主要采用丝网印刷铝浆并烧结的方式在太阳能电池的背面形成铝背场。但是，由于铝在硅中的溶解度较低，很难得到一个较高的铝背场掺杂浓度，因而形成的背电场效果受到制约，影响太阳能电池的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种太阳能电池及其制作方法，通过对基底一表面制作硼扩散层以作为背电场，以在基底背离正面电极一侧形成高浓度掺杂区域，进而提高了背电场的效果，提高了太阳能电池的性能。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种太阳能电池的制作方法，包括：

提供一基底；

在所述基底一表面形成第一保护层；

在所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层；

去除所述第一保护层和硼硅玻璃后，在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二保护层；

在所述基底背离所述硼扩散层的表面制作磷扩散层；

去除所述第二保护层、磷硅玻璃和边缘pn结后，在所述磷扩散层背离所述基底一侧形成第一钝化层，以及，在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二钝化层；

在所述第一钝化层背离所述基底一侧形成正面电极并烧结后，得到所述太阳能电池。

优选的，在形成所述正面电极的同时、且在所述烧结前，还包括：

在所述第二钝化层背离所述基底一侧形成背面电极。

优选的，在提供所述基底后、且在形成所述第一保护层前，还包括：

对所述基底进行表面抛光；

或者，将所述基底的表面制作为绒面。

优选的，在对所述基底进行表面抛光时，其中，在形成所述第二保护层后、且在制作所述磷扩散层前，还包括：

将所述基底背离所述硼扩散层的表面制作为绒面。

优选的，在所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层为：

在扩散炉管中对所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层，其中，扩散工艺参数为：

所述扩散炉管中的温度范围为850℃～1100℃，包括端点值；

扩散时长范围为45min～120min，包括端点值；

对所述扩散炉管通入的氧气和氮气的流量比氧气流量：氮气流量的范围为1：20～1:5，包括端点值。

优选的，在所述基底背离所述硼扩散层的表面制作磷扩散层为：

采用液态三氯氧磷扩散工艺对所述基底背离所述硼扩散层的表面制作磷扩散层，其中，扩散工艺参数为：

扩散温度范围为800℃～900℃，包括端点值；

扩散时长范围为30min～120min，包括端点值。

优选的，所述第一保护层和/或第二保护层为第一氮化硅层；

以及，所述第一保护层和第二保护层的厚度范围为25nm～55nm，包括端点值。

优选的，所述第一钝化层和/或第二钝化层为第二氮化硅层；

以及，所述第二氮化硅层的厚度范围为80nm～120nm，包括端点值。

优选的，所述第二钝化层为氧化铝/氮化硅叠层；

以及，所述氧化铝/氮化硅叠层的厚度范围为70nm～90nm，包括端点值，且所述氧化铝/氮化硅叠层中氧化铝层的厚度范围为5nm～30nm，包括端点值，所述氧化铝/氮化硅叠层中氮化硅层的厚度范围为40nm～85nm，包括端点值。

相应的，本发明还提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池采用上述的太阳能电池的制作方法制作而成。

相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：