[发明专利]一种高长径比纳米棒状三氧化钼电极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高长径比纳米棒状三氧化钼电极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将钼酸铵溶解于体积分数为5%~10%的二丙酮醇溶液中，充分搅拌，配成钼酸根离子浓度为0.005~0.04mol/L的溶液A；

2）按溶液A：柠檬酸三乙酯溶液=1：（0.1~3）的比，将柠檬酸三乙酯溶液逐滴滴加至溶液A中，并调节pH值至0.5~3.0，得到反应前驱液；

柠檬酸三乙酯溶液的浓度为0.005~0.04mol/L；

3）将反应前驱液在120~220℃下，水热反应8~48h，反应结束后冷却至室温，离心、分离，取沉淀物，将沉淀物洗涤后真空干燥，制得高长径比的纳米棒状三氧化钼电极材料，制得的三氧化钼电极材料长径比达到30；循环50圈后，容量保持率达90%以上。

2.根据权利要求1所述的高长径比纳米棒状三氧化钼电极材料的制备方法，其特征在于，步骤1）中充分搅拌是采用磁力搅拌20~40min。

3.根据权利要求1所述的高长径比纳米棒状三氧化钼电极材料的制备方法，其特征在于，步骤2）采用0.5~2.0mol/L的盐酸溶液调节pH值。

4.根据权利要求1所述的高长径比纳米棒状三氧化钼电极材料的制备方法，其特征在于，步骤3）是将反应前驱液置于聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中进行水热反应。

5.根据权利要求1所述的高长径比纳米棒状三氧化钼电极材料的制备方法，其特征在于，步骤3）洗涤沉淀物是采用去离子水和无水乙醇依次洗涤。

6.根据权利要求1所述的高长径比纳米棒状三氧化钼电极材料的制备方法，其特征在于，步骤3）所述真空干燥是将沉淀物在50~120℃下，干燥2~6h。

7.采用权利要求1~6中任意一项所述方法制得的高长径比纳米棒状三氧化钼电极材料，其特征在于，该三氧化钼电极材料长径比达到30；循环50圈后，容量保持率达90%以上。