[发明专利]一种精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法

权利要求书

1.一种精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法，其特征在于，为该方法配备一碳化 硅单晶生长用单晶炉，该单晶炉包括用于加热坩埚的发热筒和感应加热发热筒的加热线 圈；

该方法包括如下步骤：

步骤1）基于感应加热法设计所述加热线圈，该加热线圈由轴向排布的若干段线圈单元 组合而成，每段线圈单元连接有独立控制装置；

步骤2）通过控制每段线圈单元的加热参数，使发热筒各部分的发热量发生改变，从而 精确控制单晶炉腔内温度场，始终保持晶体生长的前沿处于适合其生长的温区，最终得到 碳化硅单晶。

2.如权利要求1所述的精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法，其特征在于，根据 场温控制需求，确定每段所述线圈单元的匝数，且所述加热线圈的匝间距相同。

3.如权利要求1所述的精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法，其特征在于，每段 所述线圈单元为单匝或者多匝。

4.如权利要求1所述的精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法，其特征在于，所述 加热线圈为水冷管式铜线圈。

5.如权利要求1所述的精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法，其特征在于，每段 所述线圈单元连接有独立控制电源，或者所有线圈单元连接同一电源，每段线圈单元连接 有各自的分线控制器，由所述分线控制器独立控制每段线圈单元的功率。